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SK하이닉스6

내년에 등장하는 차세대 메모리 HBM2 GPU 메모리는 내년 (2016 년)의 HBM2에서 1TB / sec로 GPU의 메모리 대역이 급속도로 오르고있다. 작년 (2014년)의 하이엔드 GPU는 300GB/sec의 대역이었던 것이 올해 (2015년)는 "Radeon R9 FURY (Fiji)"에서 메모리 대역폭은 512GB/sec에 올라 내년 (2016 년)에는 AMD와 NVIDIA의 모두 1TB/sec의 메모리 대역에 돌입 할 전망이다. 2017년 이후에도 메모리 대역의 확장이 예상되고 있으며, GPU 메모리 대역은 급증한다. ▲HBM1과 HBM2의 차이 메모리 대역폭이 확장되는 가장 큰 이유는 물론 하이엔드 GPU의 메모리가 "HBM (High Bandwidth Memory) '로 전환하기 때문이다. 무엇보다, 300GB/sec 대의 메모.. 2015. 9. 4.
SK하이닉스, 세계 최초 최대용량 128GB DDR4 모듈 개발 ▲SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 128GB DDR4 모듈 SK하이닉스가 세계 최초로 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반 최대용량 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했다고 6일(日) 밝혔다. 이 제품은 TSV 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. 속도 측면에서도 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps를 구현했으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다. SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공함으로써, 서버용 D램 시장에서도 기.. 2014. 4. 7.
SK하이닉스, 3D 적층D램 AMD와 엔비디아에 공급 SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 제품을 개발하는데 성공했다고 2013년 12월 26일 밝혔다. 이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품으로 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 특히, 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다. SK하이닉스는 이.. 2014. 4. 5.
SK하이닉스와 삼성전자 세계최초로 LPDDR4 3200Mbps 개발성공 SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)가 20나노급 기술을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4) 제품을 세계 최초로 개발했다고 30일(月) 밝혔다. LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 초고속, 저전력의 특성을 갖췄다. 이번에 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 현재 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고 동작전압은 낮춘 것이 특징이다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄으며, 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다. SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip) 업체에.. 2013. 12. 30.
삼성전자에 도전하는 도시바의 3D 낸드플래쉬 대용량 NAND 플래시 메모리가 마침내 3D화 (3차원화)했다. "3D NAND"기술은 메모리 셀을 3차원 화하는 것으로, 실리콘 면적당 기억용량 (메모리 밀도)를 기존의 메모리 셀 기술 ( "2D NAND"또는 "평면 NAND"등으로 불린다)에 비해 비약적으로 강화된 기술이다. 대용량 NAND 플래시 메모리 개발 기업은 많지 않다. 삼성전자, SK하이닉스, 도시바와 샌디스크 연합개발 팀, 미국 마이크론과 인텔의 공동개발팀이 있다. 총 4개의 연구 개발 그룹밖에 없다고 해도 NAND 플래시의 개발 경쟁은 치열하다. 업체들은 가격 인하 경쟁으로 값이 폭락해 거액의 적자를 쓴 역사가있다. 대용량화와 저비용화를 양립시키는 비장의 카드로서, 이전부터 3D NAND 기술에 큰 기대가 걸려왔다. 위의 4개 기업 (.. 2013. 8. 19.
마이크론 세계최소형 16나노 MLC 낸드플래쉬 공개 ▲마이크론은 세계 최소형 16나노 MLC 낸드플래쉬를 공개했다. 미국 Micron Technology는 7월 16일 업계에서 가장작은 미세공정 16nm 128Gbit MLC NAND 플래시 메모리의 출하를 시작했다고 발표했다. 16nm 프로세스는 플래시 메모리뿐만 아니라 반도체소자 전체적으로 가장 진보된 프로세스이며, 이번 발표했다. 128Gbit의 MLC 칩(16GB)은 16nm 미세공정덕택에 업계에서 가장 작고, 가장 제조단가가 적은것이라고 설명했다. 덧붙여서, 정확한 다이사이즈는 공표되어 있지 않지만, 300mm 웨이퍼에서 약 6TB 분의 칩을 제조 할 수 있다고한다. 현재 특정 고객을위한 샘플출하가 이루어지고 있으며, 칩의 제품화는 2013년 4분기 예정되어 있다. 2014년에는이 칩을 탑재한 S.. 2013. 7. 17.
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