반응형 하이닉스13 하이닉스반도체, 세계 최초 40나노급 2Gb GDDR5 개발 하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 그래픽 DDR5(이하 GDDR5) 제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 이 제품은 업계 선두 기술인 40 나노급 공정이 적용되었고, 기존 50나노급 1기가비트 제품보다 용량이 2배 증가해 고용량 제품을 원하는 고객의 요구를 만족시키게 됐다. 또한, 7Gbps의 처리속도로 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 28기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있고, 1.35V의 저전력 동작으로 에너지 소모를 기존대비 20% 줄인 친환경 제품이다. 그래픽 메모리는 개인용 PC나 게임기 등에서 영상을 처리하는 메모리로서 범용 D램보다 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있는 것이 특징이다. 최근 .. 2009. 12. 22. 하이닉스, 세계 최초 8GB DDR3 서버용 모듈 인텔 인증 획득 하이닉스반도체는 세계 최초로 2-Rank 8기가바이트(GB) DDR3 서버용 모듈 제품이 인텔 인증을 획득했다고 17일 밝혔다. 이번에 인증 받은 제품은 메타램의 기술을 사용한 1기가비트(Gb) DDR3 D램 기반의 2-Rank 8기가바이트 1066Mbps 서버용 모듈로, 한 채널당 3개의 모듈(3 DPC, 3 DIMM Per Channel)을 장착하여 인증 받은 것이 특징이다. 기존의 8기가바이트 서버용 모듈은 한 채널당 2개 모듈을 시스템에 장착하여 1066Mbps로 동작 가능하지만, 3개 모듈을 장착할 경우 800Mbps로 성능이 저하된다. 그러나 메타램 기술을 적용한 2-Rank 8기가바이트 모듈은 한 채널당 3개 모듈까지 1066Mbps로 속도저하 없이 동작 가능하다. 이로써 인텔 듀얼 프로세서.. 2009. 3. 17. 하이닉스반도체, 세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발 하이닉스반도체는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 美 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다. 이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로, ‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다. 이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다. 44나노 공정을 적용한 DDR3 제품의 .. 2009. 2. 8. 하이닉스반도체, 세계 최초 2Gb 모바일 D램 개발 하이닉스반도체는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다. 이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로 멀티 칩 패키지(MCP; Multi Chip Package)와 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중, 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다. 전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다. 또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I.. 2008. 12. 3. 이전 1 2 다음 반응형
