Intel, 340 GHz 실리콘광소자 디바이스 개발Intel, 340 GHz 실리콘광소자 디바이스 개발

Posted at 2008. 12. 8. 23:36 | Posted in IT/Hardware



Intel은 7일, 신개발  실리콘광소자 디바이스가, 340GHz로 구동에 성공했다고 발표했다.

 이번 개발한 것은, APD(Avalanche Photodetector)로 불리는 디바이스. 이 디바이스는, 흡수역과 증식역으로 불리는 2층으로부터 완성되어, 흡수역으로 광자를 받으면, 증식역으로 전자를 발생시킨다.
이 증식역으로 발생하는 전자의 수는, 종래의 Photodetector의 10~100배나 있어, 이것에 의해 같은 소비 전력으로 광원으로부터의 광자의 송출 거리를 10배에, 혹은 광원의 소비 전력을1/10로 해 같은 거리, 광자를 송출할 수 있다.

 이번 달성한 340 GHz라고 하는 주파수는, 종래의 비실리콘제 광전자 소재를 사용한 디바이스를 처음으로 뽑는 것. APD는 보다 염가로 제조할 수 있는 것부터, 실용화를 향해서 크게 전진하게 된다.

 Intel는 광소자 디바이스의 실리콘화 연구를 이전보다 진행하고 있어, 장래적으로는 PC내의 칩간 통신에 이용해 대역폭을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.



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