삼성전자, 세계 최초 28nm D램 양산 시작

2011년 9월 삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급(28나노) D램 양산을 시작했다. 

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 개최한다고 발표했다. 

지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다. 

삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다. 

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다. 

삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다. 

DDR3 96GB 서버구성시

공정발전에 의한 소모전력을 줄일 수 있습니다.

일반가정에 쓰는건 DDR3 40나노를 쓰건 30나노를 쓰건
별 차이 없습니다. 
 

삼성 NAND메모리 공정발전

63nm

51nm

42nm

32nm *SSD s470

27nm *SSD 830

21nm

삼성 DRAM메모리 공정발전

68nm

56nm

46nm

35nm

28nm

삼성 비메모리 공정발전 

90nm  *비메모리 시장진입* 
65nm 
45nm
32nm HKMG
28nm HKMG