삼성전자, 8배 빠른 ‘WIDE I/O 모바일 D램’ 개발

삼성전자가 기존 모바일 D램 보다 8배 빠른 차세대 ‘WIDE IO 모바일 D램’을 개발했다 

이번에 개발한 제품은 50나노급(나노:10억분의 1) 공정을 적용한 1Gb(기가비트, Giga bit) ‘WIDE IO 모바일 D램’으로 기존 모바일 D램(MDDR)의 데이터 전송속도 1.6GB/s(Giga Byte per Second)보다 8배 빠른 12.8GB/s의 데이터 속도를 가지고 있다. 이는 1초에 DVD급 영화 2편, 음악파일 3200곡을 전송할 수 있는 속도다. 

‘WIDE IO 모바일 D램’은 데이터 입출력 핀 수를 기존 모바일 D램의 32개 보다 16배 많은 512개로 늘여, 초당 데이터 전송속도를 획기적으로 증가시켰고 소비전력도 87%를 절감할 수 있다. 

삼성전자는 지난해 12월 업계 처음으로 4Gb LPDDR2(Low Power DDR2) 모바일 D램을 개발한 데 이어, 이번에 ‘WIDE I/O 모바일 D램’을 개발함으로써 스마트폰 및 태블릿 고객에게 더욱 차별화된 친환경 모바일 솔루션을 제공할 수 있게 됐다. 

삼성전자는 이번에 개발된 ‘WIDE I/O 모바일 D램’ 기술을 기반으로 주요 고객과 개발 단계부터 협력을 강화해 2013년부터는 20나노급 미세공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 공급할 계획이다. 

삼성전자 반도체사업부 전략마케팅팀 소병세 전무는 “초고속 ‘WIDE I/O 모바일 D램’을 사용해 고객들이 더욱 성능을 높인 그린 모바일 기기를 개발할 수 있도록 할 것”이라 말하고 “향후에도 대용량 고성능의 모바일향 그린 메모리 제품을 지속 개발해 모바일 시장의 성장을 견인해 나갈 것”이라고 밝혔다. 

한편, 삼성전자는 이 달 20일부터 24일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 세계 3대 반도체 학회 중 하나인 국제반도체학술회의(ISSCC, The International Solid-State Circuits Conference)에서 ‘WIDE IO 모바일 D램’ 기술 논문을 소개한다. 

시장조사기관 아이서플라이는 모바일 기기당 D램 탑재 용량의 증가로 인해 전 세계 D램 시장에서의 모바일 D램 비중이 2010년 11%에서 2014년 17%로 꾸준히 증가할 것으로 예상했다.