반응형
▼삼성830의 분해는 전작과 마찬가지로 원천적으로 어렵게 처리 되어 있습니다. 상판과 하판은 상판의 합성수지 재질부분의 하우징의 클립을 통해서 고정되는 형태로 나사가 없는 결합 방식이라 분해시 내부 합성수지 클립이 파손되기 때문입니다. 따라서 특별한 이유가 아니고서는 분해 하는것을 권장해 드리지 않습니다.
하우징 안쪽입니다. 하판은 알루미늄재질로 되어 있으며, 내부 부품의 발열을 위해서 써멀패드가 부착되어 있습니다. 상판의 내부는 쇼트방지를 위해서 합성수지 재질로 되어 있으며, 내부 PCB 고정을 위해서 패드가 두군데 부착되어 있습니다.
▼리뷰에 이용된 삼성830은 128GB제품을 4개의 32GB(256Gb)가 사용되었습니다. 기존의 Samsung SSD 470 Series 128GB와 비교해 사용된 낸드플레시의 용량은 4배 늘고 사용된 낸드플레시 숫자는 1/4으로 줄어든 모습입니다.
삼성 S470 128GB 분해샷
32nm로 제조
앞면 7개 ,캐쉬1개(128MB)
뒷면 9개 ,캐쉬1개(128MB)
삼성830은 27nm로 제조
32nm로 제조
앞면 7개 ,캐쉬1개(128MB)
뒷면 9개 ,캐쉬1개(128MB)
삼성830은 27nm로 제조
Samsung SSD 830 Series는 256GB 모델부터 쓰기속도가 정상적으로 나오는 이유는 8채널로 설계된 컨트롤러에 최적화된 성능을 발휘하기 위해서는 8개의 낸드플레시가 사용되어야 하기 때문입니다.
그에 따라 128GB는 4채널로만 구성되어 절반만을 사용하고 있어서 성능상 한계를 가지고 있게 됩니다. 현재 삼성의 27nm 공정의 낸드플레시는 32GB(256GB)와 64GB(512Gb) 두가지만을 양산하는것으로 보이며, 작은 용량의 낸드플레시가 생산되지 않기 때문에 이러한 구성이 된것으로 예상 됩니다.
삼성830 256GB 분해샷
삼성830 256GB 분해샷
낸드메모리 8개로 데이터8채널이다.
그렇기 때문에 지금기술의 SSD는 240GB 또는 256GB부터 풀성능이 나옵니다.
즉, SSD완전체라는 말씀.
그렇기 때문에 지금기술의 SSD는 240GB 또는 256GB부터 풀성능이 나옵니다.
즉, SSD완전체라는 말씀.
삼성830 256GB 속도
▼삼성830은 전작인 470 Series와 동일하게 트리플 코어를 채용하고 있다고 합니다. 컨트롤러명은 Samsung S4LJ204X01-Y040 명시 되어 있습니다.
듀얼코어 기반의 Cortex-A9 을 기반으로 삼성전자의 공식 스펙상으로는 3-Core로 표기하고 있습니다.
듀얼코어 기반의 Cortex-A9 을 기반으로 삼성전자의 공식 스펙상으로는 3-Core로 표기하고 있습니다.
Cortex-A9는 파이프라인 2개로 SATA3(6Gbps)의 대역폭의 성능을 구현하기 위해서 반드시 필요한 부분입니다.
Samsung S4LJ204X01-Y040 컨트롤러는 현재 각 SSD 제조사가 채택하고 있는 SATA3.0(6Gbps)를 지원하는 몇 안되는 컨트롤러중 가장 기대를 갖게 하는 컨트롤러지만 Sandforce SF-2281 컨트롤러처럼 다수의 제품에 채용되는 컨트롤러가 아니기 때문에 그 스펙에 대해서 많이 알려지지 않았습니다.
현재까지 나온 Samsung S4LJ204X01-Y040 컨트롤러의 스펙을 확인해 보면 다음과 같습니다.
※Samsung S4LJ204X01-Y040 성능스펙 개요:
1.최대읽기: Up to 520MB/s
2.최대쓰기: Up to 400MB/s
3.최대 캐시메모리: 256MB
4.최대용량: 512GB지원
5.외부 인터페이스: SATA3.0(6Gbps)
6.Native TRIM:지원
7.GC(Gabage Collection):지원
※SSD 컨트롤러에 멀티코어 과연 효용성 있는가?
일반유저들에게는 삼성의 470 Series부터 관심을 갖게 한 멀티코어 SSD 메인컨트롤러는 과연 효용성이 있는가에 대해서 많이 알려진 부분이 없습니다.
국내외 정보를 종합하면 코어수가 증가한다고 반드시 좋은것만은 아니며, 우선적으로 펌웨어 설계와 알고리즘 그리고 SSD의 성능에 직접적인 영향을 주는 낸드플레시의 성능이 좌우하게 된다고 합니다.
국내외 정보를 종합하면 코어수가 증가한다고 반드시 좋은것만은 아니며, 우선적으로 펌웨어 설계와 알고리즘 그리고 SSD의 성능에 직접적인 영향을 주는 낸드플레시의 성능이 좌우하게 된다고 합니다.
삼성의 멀티코어 SSD 메인컨트롤러의 구현 형태는 아래와 같다고 합니다.
3개의 CPU 코어들이 하나는 읽기 전용으로, 다른 하나는 쓰기 전용으로, 또 다른 하나는 최적화 작업을 하며,
여러 가지 명령을 한번에 실행 가능하도록 하고 있다고 합니다.
여러 가지 명령을 한번에 실행 가능하도록 하고 있다고 합니다.
삼성830의 데이터처리 개요
일반적으로 전작인 470 Series의 꾸준한 성능을 장점으로 꼽고 있다는 점에서 안정성을 중시하는 OEM시장을 아직까지 주력으로 한다는 점등에서 기존에 SSD의 단점으로 여겨지던 일명 프리징현상과 성능저하 현상 및 수명문제를 효과적으로 관리하기 위해서 코어수를 늘린것으로 평가 됩니다.
실제로 삼성830을 국내외 홍보용 정보에 따르면 이러한 트리플코어를 기반으로 전작인 470 Series에 비해 향상된 웨어레벨링(wear-leveling)기술과 GC(garbage collection)기술이 적용 되었다고 전하고 있습니다.
▼K4T2G314QF DDR2 800Mhz SDRAM 256MB의 캐시메모리가 사용되었습니다.
전작인 470 Series가 128MB DDR2 667Mhz의 캐시메모리를 각 way에 적용한 형태를 취한것과 차이점이고
단일 way로 구성된 삼성830 이기 때문에 결과적으로는 캐시메모리가 두배 증가와 함께 처리속도도 향상 되었습니다.
▼삼성830에 채택된 낸드플레시는 Samgung K9PFGY8U7A-KCL0 DDR Toggle NAND (27nm Toggle-mode 1.0) 32GB(256Gb) 2bit Nandflash MLC가 채용되어 있습니다.
스펙상 Toggle-mode 1.0 이기 때문에 전작인 470 Series와 동일한 최대 133MB/s으로 내부 전송률을 지원하고 있습니다.
( 인텔 주도의 오픈 규격인 ONFi 2.X 대에 해당되는 것으로 25nm 공정의 인텔과 마이크론이 생산하고 있는 현재의 낸드플레시와 동일한 성능을 구현하고 있습니다.)
( 인텔 주도의 오픈 규격인 ONFi 2.X 대에 해당되는 것으로 25nm 공정의 인텔과 마이크론이 생산하고 있는 현재의 낸드플레시와 동일한 성능을 구현하고 있습니다.)
▼PCB기판의 구조는 전작인 470 Serise와 비교시 주요 차이점은 캐시 메모리로 전작인 470 Series가 128MB 낸드플레시를 두개 채용하는 형태인데 반해 삼성830은 256MB 한개만을 채용하고 있습니다.
그러한 차이는 낸드플레시가 27nm로 낮아지면서 용량이 크게 향상되어 굳이 2way 구성을 하지 않아도 충분히 용량 구현이 가능하게 되면서 설계상 변경이 된것으로 보입니다.
또한 전작인 470 Series와 비교시 기판의 길이가 길어졌습니다. 삼성830의 OEM시장 제품인 PM830과 PCB설계가 조금 다른데 OEM시장과 달리 리테일시장에는 한동안은 1.8"형 제품이 출시 되지 않는것은 아닌가 조심스럽게 예상이 됩니다.
전원부 구성은 전작인 470 Series와 비교시 크게 향상된 부분은 보이지 않고 있습니다.
▼전면에는 삼성830의 메인컨트롤러인 S4LJ204X01-Y040 컨트롤러와 4개의 낸드플레시가 위치하고 있습니다.
▼후면에는 아무런 부품이 위치하고 있지 않으며 추가로 낸드플레시나 캐시메모리를 탑재한 풋프린터도 보이지 않습니다.
따라서 삼성830은 현재 양산중인 27nm 토글낸드플레시의 용량을 감안할때 리테일시장의 제품은 최대 512GB까지의 제품만 한정하여 양산을 염두해 두고 있는것으로 보입니다
출처 : http://www.winfix.net/bbs/board.php?bo_table=ddforiview&wr_id=310&sca=199-200&page=3
따라서 삼성830은 현재 양산중인 27nm 토글낸드플레시의 용량을 감안할때 리테일시장의 제품은 최대 512GB까지의 제품만 한정하여 양산을 염두해 두고 있는것으로 보입니다
출처 : http://www.winfix.net/bbs/board.php?bo_table=ddforiview&wr_id=310&sca=199-200&page=3
반응형
'IT/Hardware > Storage' 카테고리의 다른 글
하이닉스, 26나노 MLC SSD 출시 (0) | 2012.06.25 |
---|---|
삼성전자, 세계 최초 27나노 모바일메모리 양산 (0) | 2012.05.17 |
삼성전자, 세계 최초 28nm D램 양산 시작 (0) | 2012.05.10 |
SSD 레이드 트림지원하는 인텔 RST 11.5 출시예정 (0) | 2012.04.18 |
WD, 플래터1장에 333GB 벨로시랩터 1TB 리뷰 (WD1000DHTZ-04N21V0) (1) | 2012.04.18 |
ISSCC에서 보여준 낸드플래쉬 메모리의 대용량화의 트랜드 (0) | 2012.03.09 |
메모렛 소프티슈 16GB 벤치마크 (0) | 2012.03.08 |
ChipGenius v4.0 최신버전 (28) | 2012.02.17 |
삼성전자,트렌센드,샌디스크 Micro SDHC 32GB 3종 벤치마크 (0) | 2012.02.16 |
LSI, 샌드포스(SandForce) 인수 (0) | 2012.01.31 |
댓글