삼성전자 25nm DDR3 그린메모리 공개

삼성전자가 6일 서울 신라호텔에서 ‘삼성 메모리 솔루션 CIO포럼(Samsung Memory Solutions CIO Forum) 2012’를 개최하고 차세대 그린메모리 전략을 발표했다. 

‘그린메모리 솔루션으로의 진화’라는 주제로 열리는 이번 포럼에서 삼성전자는 새로운 차세대 그린메모리 전략과 신제품을 선보였다. 

삼성전자는 글로벌 서버 고객 및 서비스업체와 다양한 기술 협력으로 차세대 그린 IT 솔루션을 제공함으로써 기업은 물론 소비자까지 IT 투자효율을 극대화하고 새로운 CSV 창출 기회를 제공하여 지구환경 보호에 기여한다는 전략이다. 

삼성전자는 이번 포럼에서 △ 업계 고성능 서버 SSD인 480GB SATA MLC SSD (SM843) △ 업계 고성능 스토리지 SSD인 800GB SAS MLC SSD (SM1625) △ 세계 최초 양산 2y나노 4Gb DDR3 D램 등 혁신적인 4세대 그린메모리 신제품을 선보였다. 

※ 20나노급(2x나노), 20나노급(2y나노)는 삼성 독자의 공정 규격임. 

제품별로 앞선 미세공정 표기를 위해 동일 공정 내 개발 순서에 따라 x(1세대) → y(2세대) → z(3세대)로 표기 

특히 삼성전자는 기존 HDD 서버 대비 단위 와트(Watt)당 처리 성능을 267배나 향상시킨 SM843 SSD를 기반으로 그린 서버 시스템에 최적화된 고효율 4세대 그린 서버 데모를 전시하여 참석자들로부터 높은 관심을 받았다. 

또한 삼성전자는 이번 포럼에서 ‘삼성 그린메모리’ 전략이 제시하는 미래 비전으로서 ‘3S(System, Solution, Software) 혁신’을 통한 고객 가치 창출을 뜻하는 ‘차세대 그린메모리’ 전략을 공개했다.

삼성전자는 ‘3S 혁신’ 전략을 통해 차세대 공정기술, 초고속 메모리 인터페이스기술, 고신뢰성 회로 디자인, Intelligent 패키지 등 고객에게 혁신적인 기술을 선행 개발해 나갈 것이며, 향후에도 삼성전자가 그린메모리를 통한 지속적인 CSV 활동으로 인류 사회의 발전에 기여해 나갈 것이라고 밝혔다. 

10나노 기술장벽때문에 DRAM 공정테크트리를 20나노급을 3번 걸치게 되는군요. 2x(28나노) → 2y(25나노) → 2z(22나노)

삼성전자 제조공정 발전순서

삼성 NAND메모리 공정발전	삼성 DRAM메모리 공정발전	삼성 비메모리 공정발전
63nm 51nm 42nm 32nm *SSD s470 27nm *SSD 830 21nm *SSD 840 18nm	68nm 56nm 46nm 35nm 28nm 25nm	90nm  *비메모리 첫 시장진입*  65nm  45nm 32nm HKMG 28nm HKMG