하이닉스반도체, 20나노급 64기가비트 낸드플래쉬 칩 개발 성공

하이닉스반도체는 20나노급 64기가비트(Gb) 제품 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. 

하이닉스는 지난 2009년 8월, 30나노급 기술을 적용한 32 기가비트 낸드플래시 제품에 이어, 불과 6개월 만에 20나노급 64기가비트 제품 개발에 성공함으로써 낸드플래시 분야에서도 업계 최고 수준의 기술경쟁력을 확보하게 됐다. 

하이닉스 연구소장인 박성욱 부사장은 “통신기술에 사용되는 ‘노이즈 제거’ 기술을 개발해 조만간 적용하면, 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 20나노급 이하까지 확장해 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다”고 설명했다. 또한 “이 제품은 새로운 공정의 채용을 최소화해 30나노급 제품 대비 2배 가까운 생산성 향상으로 업계 최고 수준의 원가 경쟁력도 확보할 수 있게 됐다”고 덧붙였다. 

20나노급 64기가비트 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정이며, 이 제품을 기반으로 향후 64기가바이트(GB) 메모리 용량 시대가 앞당겨질 것으로 기대하고 있다. 64기가바이트 메모리는 MP3 음악파일 16,000곡, DVD 영화 40편, 단행본 440만권, 일간신문 400년치에 해당하는 방대한 정보를 저장할 수 있는 용량이다. 

한편 하이닉스는 지난 2007년부터 업계 불황에도 불구하고 매출의 10% 수준을 지속적으로 연구개발에 투자하고, 양산 적용과 차기 3세대 제품 개발을 동시에 준비하는 R&D 시스템을 구축함으로써 최근 3년 동안 미세공정을 적용한 고성능의 모바일 제품인 LPDDR2, 그래픽 제품인 GDDR5 등 19개의 제품을 세계 최초로 개발하며 업계 최고 수준의 기술경쟁력을 입증해 왔다. 

특히 낸드플래시의 경우, 세계 유수의 플래시 메모리 반도체 업체인 뉴모닉스(인텔과 ST마이크로 합작사)와 분업을 통한 공동 기술 개발로, 최근 30나노급·20나노급 제품을 단기간에 연속적으로 개발해 선도업체들을 앞지르게 됐다. 

하이닉스는 30나노급에 이어 20나노급을 개발해 원가 및 기술경쟁력을 갖춤에 따라 낸드플래시 전용인 청주공장의 생산능력을 두배로 확장시켜 시장점유율을 확대해 나갈 계획이다. 이를 위해 올해 약 7천억 원의 현금 투자를 포함해 약 1조원의 설비 투자를 청주 공장에 집행할 계획이다. 

■ 노이즈 제거 기술 

- 하나의 셀에 들어있는 각각의 비트 정보를 물리적으로 분리시켜 셀간 간섭으로 인해 생기는 데이터의 중첩 현상을 제거하는 기술 

- 하이닉스는 2009년 5월 IMW 학회(International Memory Workshop, 미국 샌프란시스코) 초청 논문 발표를 통해, 본 기술을 핵심으로 하는 차세대 낸드 플래시 메모리 기술 개발 방안을 업계 최초로 제안한 바 있음 

■ 뉴모닉스 

- 뉴모닉스는 세계 1위 반도체 기업인 인텔과 5위인 ST마이크로의 합작회사 

■ 기가비트 (Gb) & 기가바이트 (GB) 

- 비트 (bit, binary digit) ; 소문자로 표기 ‘b’ 

메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현되는 단위(0 or 1) 

- 바이트 (Byte = 8 bit) ; 대문자로 표기 ‘B’ 

정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트(Byte)라 함

IM플래쉬  25nm

하이닉스  26nm

삼성전자  27nm