반응형 3D V-NAND1 삼성전자가 생각하는 차세대 메모리 아키텍쳐의 방향 ▲2013년 8월 6일 삼성전자의 독자 기술 '3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조'와 '3차원 수직적층 공정' 기술이 동시 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다.용량은 16GB 반도체 메모리 기술 및 제품에 대한 이벤트 (강연회 겸 전시회) "MemCon (멤콘)"가 2013년 8월 6일 (현지 시간) 미국 캘리포니아 주 산타 클라라에서 개최되었다. "메모리 컨퍼런스"를 줄인 "MemCon (멤콘) '은 10년이 넘는 역사를 가진 이벤트이며, 반도체 메모리 업계에서 몇 안되는 전문 이벤트이기도하다. 미국 실리콘 밸리에서 출발하는 이벤트인데, 최전성기에는 미국 외에 중국 (상하이)과 일본 (도쿄)에서도 개최된다는 대규모 행사.. 2013. 8. 14. 이전 1 다음 반응형
