반응형 3D XPoint1 인텔, 낸드플래쉬보다 1000배 빠른 비휘발성 메모리 개발 미국 인텔은 7월 28일 미국 마이크론과의 공동 연구를 통해 새로운 비휘발성 메모리 '3D XPoint'을 개발, 양산을 개시했다고 발표했다. 비휘발성 메모리로는 현재 주류로 사용되는 도시바 특허인 낸드플래쉬 등장 이후 25년 만에 새로운 구조를 채용하고 있으며, NAND와 비교해 최대 1,000 배의 고속화와 내구성 향상을 전망 할 수 있다고 말한다. 이름하여 3D XPoint는 10년 이상의 연구 개발 기간 거쳐 처음부터 개발, 실용화에 이르른 기술이며, 트랜지스터를 사용하지 않는 독자적인 「크로스 포인트 구조」를 채용한다. 워드선과 비트선의 교차점에 메모리 셀을 배치하는 3D 바둑판을 만들 수 있기 때문에 메모리 셀에 대한 개별 접근이 가능해진다. 크로스 포인트 배열 구조는 도체가 수직으로 배치 된.. 2015. 7. 31. 이전 1 다음 반응형
