반응형 ddr36 삼성전자, 세계 최초 28nm D램 양산 시작 2011년 9월 삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급(28나노) D램 양산을 시작했다. 삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 개최한다고 발표했다. 지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다. 삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다. 20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성.. 2012. 5. 10. 삼성전자, 세계 최초 30나노급 D램 양산 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 D램 양산에 나선다. 삼성전자는 30나노급 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 이 달부터 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. 30나노급 D램은 생산성 향상에 따른 높은 원가경쟁력을 확보하고 있을 뿐 아니라, 최고의 성능과 에너지 효율성을 갖춘 제품이다. 30나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 DDR3 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다. 삼성전자는 30나노급 DDR3 D램의 데이터 처리속도를 PC용 제품으로는 최고 속도인 2,133Mbps(Megabit Per Second)로 구현했다. 이는 1,333.. 2010. 7. 21. 삼성전자, 세계 최초 ‘32GB D램 모듈’ 출시 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 32GB(기가바이트) D램 모듈을 출시하며 대용량 메모리 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 지난 2월부터 양산에 들어간 40나노급 4Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 적용한 서버용 32GB D램 모듈(RDIMM)을 다음달부터 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자는 지난해 3월 세계 최초로 50나노급 2Gb D램을 적용한 16GB D램 모듈을 양산한 데 이어, 이번에 세계 최초로 용량을 두 배로 늘린 32GB D램 모듈을 양산한다. 삼성전자는 32GB 모듈 출시로 PC용 4GB D램 모듈에서부터 서버용 32GB D램 모듈까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보해, 주요 서버 업체를 비롯한 IT 업체들을 대상으로 그린 메모리 전략을 폭넓게 .. 2010. 3. 30. DDR2 메모리가격이 DDR3를 넘어서다. DRAMeXchange의 조사 결과에 따르면 10월 상순 DDR2 메모리 가격이 계속 상승하여, 처음으로 DDR3을 넘어섰다고 합니다. 올해 7, 8월부터 시작하여 DDR2와 DDR3 메모리 칩의 가격은 같이 상승하기 시작했습니다. 10월 상순에 2GB DDR2 모듈의 가격은 31.5$로 상승하여 2GB DDR3의 31$를 넘어섰습니다. 1GB DDR2의 가격은 1.78%이며, 1GB DDR3의 1.75$를 넘어섰습니다. 시장에서 1GB DDR2 메모리 가격은 10월 8일 하루에 무려 5%가 상승, 1GB DDR2 800MHz의 메모리 가격은 2.24$가 되었습니다. 반면 DDR3 메모리 가격의 상승세는 많이 약해졌는데, 이것은 세계 주요 DRAM 제조사가 DDR3 칩의 생산량을 늘린 성과입니다. 일본 .. 2009. 10. 12. 삼성전자, 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산 삼성전자가 세계 최초로 40나노(1나노 : 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다. 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 이번 달 말부터 본격 양산에 들어간 것이다. 이번에 양산한 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다. 삼성전자는 또 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다. 이번에 40나노급 D램을 조기 양산함으로써 현재 고객들로부터 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 50나노 2기가비트 DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 되어 제품 차별화를 더욱 강화하게 되었다... 2009. 7. 22. 하이닉스반도체, 세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발 하이닉스반도체는 44나노 공정 기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 美 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다. 이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로, ‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보했다. 이 제품이 지원하는 최대 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)이며, 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다. 44나노 공정을 적용한 DDR3 제품의 .. 2009. 2. 8. 이전 1 다음 반응형
