반응형 high-k1 인텔 High-k/Metal Gate 기술발표 인텔 2003년 High-k/Metal Gate 기술발표 2007년 11월 출시된 45nm제품부터 적용되었음 - Intel은 미래의 트랜지스터 물질에 대한 확연한 진보를 이루어냈다. - 이 새로운 트랜지스터의 2가지 핵심 부문은 : 게이트 유전 물질이 "high-k" 물질로 이루어져 있다. (k값에 관한 것은 제가 서너번 언급 하였었습니다.) 게이트 전극은 메탈로 구성 - Intel은 이 혁신적인 것을 집적하고 종래의 성능을 갈아치우는 트랜지스터를 만드는 것에 성공하였으며, 이와 함께 극적으로 전류 누출을 줄이게 되었다. - Intel은 high-k-metal gate가 45nm 제조 공정에 도입될 것이라 믿고 있는데, 이것의 양산은 2007년에 이루어질 것이다. 이게 왜 중요한가? - 트랜지스터들이 전.. 2010. 4. 27. 이전 1 다음 반응형
