반응형 nand6 도시바 세계 최초 15나노 낸드플래쉬메모리 양산개시 ▲삼성보다 먼저 세계 최초로 15나노 MLC낸드플래쉬 양산에 돌입한 도시바 2014년 4월 23일 일본 도시바는 세계최초로 15nm 제조공정을 이용한 MLC타입의 2비트/셀의 128Gb(16GB)의 NAND형 플래쉬 메모리를 개발했습니다. 이번 4월말부터 욧카이치 공장의 제 5공장에서 현행 2세대의 19nm 라인을 15nm로 전환하여 순차적으로 양산해 갈 것입니다. 현재 건설중인 제5 제조공장 2라인은 제2분기에 완성된 후, 금년의 가을에는 제조라인을 늘립니다. 이번 15나노 신제품은, 세계 최첨단의 15nm프로세스를 적용하는 것과 동시에 주변 회로를 최적화해, 세계 최소 클래스의 칩사이즈를 실현했습니다. 당사의 19nm 2세대품과 비교해볼 때 쓰기속도는 거의 동등수준이고, 또, 데이터 전송 속도는 고속.. 2014. 4. 24. 삼성전자가 생각하는 차세대 메모리 아키텍쳐의 방향 ▲2013년 8월 6일 삼성전자의 독자 기술 '3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조'와 '3차원 수직적층 공정' 기술이 동시 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다.용량은 16GB 반도체 메모리 기술 및 제품에 대한 이벤트 (강연회 겸 전시회) "MemCon (멤콘)"가 2013년 8월 6일 (현지 시간) 미국 캘리포니아 주 산타 클라라에서 개최되었다. "메모리 컨퍼런스"를 줄인 "MemCon (멤콘) '은 10년이 넘는 역사를 가진 이벤트이며, 반도체 메모리 업계에서 몇 안되는 전문 이벤트이기도하다. 미국 실리콘 밸리에서 출발하는 이벤트인데, 최전성기에는 미국 외에 중국 (상하이)과 일본 (도쿄)에서도 개최된다는 대규모 행사.. 2013. 8. 14. VIA 최신 USB 3.0 낸드컨트롤러 2종 공개 USB 3.0 컨트롤러의 선두주자중 하나인 VIA에서 최신의 USB 3.0 컨트롤러 2종을 공개했습니다. VL752와 VL753 는 낸드플래쉬 최신형 19나노 20나노 21나노에 대해 USB-IF인증을 끝마쳤으면 최상의 속도와 호환성을 이끌어냈습니다. VL752는 데이터 2채널을 지원하고 VL753은 1채널을 지원하며 최대 280MB/s까지 전송이 가능하게끝 설계되었으며 200Mhz의 낸드플래쉬 지원ECC 에러보정기능을 가지고 있습니다. 비아는 신형 컨트롤러 2종을 2013 CES 가전박람회(1월 8~11일)에서 공개할 예정입니다. 별도의 샌디스크 컨트롤러보단 떨어지지만 순차속도나 4K속도를 볼 때USB 3.0 통합 컨트롤러칩에 이런속도가 나온다는것에 큰 의미가 있습니다. 내년 USB3.0 메모리에 많이.. 2012. 12. 12. SSD 수명의 문제점과 해결방안 플래시 메모리 응용 제품에는 SSD와 USB 메모리, SD 카드, 내장 스토리지 등이 존재하는데, Flash Memory Summit에서는 특히 SSD 응용에 관한 논의가 활발하다. 그것도 클라이언트 SSD보다 엔터프라이즈 SSD에 대한 관심이 이상하게 높다. 즉, 플래시 메모리의 응용 분야에서 최첨단을 달리고있는 것이 엔터프라이즈 SSD 인 것이다. 엔터프라이즈 SSD가 주목받는 배경에는, 기업용 스토리지 시장이 빠르게 성장하고있어 향후에도 성장할 것으로 예측되고있는 것이있다. 그것도 서버와 대를 이루는 기존의 스토리지가 아닌 네트워크의 반대편에있는 클라우드 데이터 센터 스토리지 용도에서 큰 성장이 기대되고있다. 기업용 스토리지, 입출력 속도 (IOPS)와 지연 시간 (대기 시간), 기억 용량의 차이에.. 2012. 9. 9. SK하이닉스가 전망하는 반도체 메모리의 미래 플래쉬메모리와 그 응용에 관한 세계 최대의 행사가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최되었다. Flash Memory Summit는, 강연회와 전시회로 구성되어 있다. 메인 이벤트는 강연회에서, 테마별의 강연 세션과 전체 강연인 키노트 세션 및 프리젠테이션 있다. 테마별의 세션은 5개 전후의 강연이 동시 진행하고 있어, 이것이 3일간 계속 된다. 꽤 대규모 강연회이다 첫날의 키노트 세션에서는, NAND 플래쉬 메모리 및 DRAM의 대기업 메이커이며, 각종의 차세대 불휘발성 메모리의 개발에 임하고 있는 SK하이닉스가 반도체 메모리의 장래를 전망했다. ●DRAM와 NAND 플래시가 미세화의 한계에 강연자는 연구 개발 담당 부사장을 맡은 박성욱씨는, 강연 타이틀은 「Prospect for New Memory .. 2012. 8. 28. ISSCC에서 보여준 낸드플래쉬 메모리의 대용량화의 트랜드 ●진행되는 NAND의 미세화와 대용량화 NAND 플래시는, 드디어 원칩 16 GB가 당연한 시대에!? 미 샌프란시스코에서 2월 19일~23일까지 개최된 반도체의 회로설계 컨퍼런스 「ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference) 2012」로, NAND의 대용량화의 이치가 보여 왔다. 이번 ISSCC에서는, 대기업 NAND 벤더의 Samsung Electronics와 도시바/SanDisk가, 각각 20nm이하의 최신 프로세스로의 NAND 칩을 발표했다. 그러나, 어느쪽이나 주력이 되는 2bits/Cell의 MLC(Multi-Level Cell)에서는, 64 Gbit 칩(8GB)의 발표에 머물었다. 즉, MLC는 2xnm프로세스 세대와 같은 용량으로, .. 2012. 3. 9. 이전 1 다음 반응형
