삼성전자, 21nm 낸드플래쉬 SSD 출시

삼성전자, 차세대 'SATA 3.0' 대용량 SSD 공급 확대

삼성전자가 20나노급 낸드플래시 기반의 'SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 3.0' 인터페이스 적용 512GB(Giga Byte, 기가바이트) SSD(Solid State Drive)제품 본격 양산에 나섰다.

삼성전자는 초박형 고성능 노트북에 'SATA 3.0' 방식의 고속 SSD 탑재를 확대하려는 고객사들의 수요 증대에 발 맞추어 SATA 3.0 512GB SSD를 공급하기 시작했으며, 올해 말까지 주요 고객의 SATA 2.0 SSD 수요를 전환해 나갈 예정이다.

512GB SSD 제품은 20나노급 고속 낸드플래시 32Gb(Giga bit) MLC(Multi Level Cell) 낸드플래시와 차세대 6Gb/s(Giga bit per second) 광대역 데이터 전송 방식을 지원하는 전용 컨트롤러를 탑재해 기존 SATA 2.0 512GB SSD 대비 두 배 빠른 500MB/s(Mega Byte per second)의 읽기속도를 구현했으며, 쓰기속도도 350MB/s로 크게 향상시켰다.

또한. 소비자가 PC를 분실하거나 해킹으로 데이터가 위협받았을 때에도 데이터를 안전하게 보호할 수 있는 보안 솔루션을 적용했다.




삼성의 20나노급 낸드플래쉬인데
삼성이 지금 주력 양산중인건 27nm이고 21nm도 소량 양산중인데 아마 21nm 공정입니다.
21nm 본격양산시점은 신규라인이 증설되는 9~10월쯤입니다.
낸드칩 한개당 8기가바이트 용량입니다.

도시바는 19nm 낸드공정을 4월에 개발완료였으나 쓰나미영향으로 2011년 하반기 양산예정입니다.

기존 삼성 S470 SSD는 32nm공정으로 만들어졌습니다.
인텔과 도시바에서 25nm로 제조된 SSD를 작년에 먼저 선보였기 때문에 삼성의 제품출시가 빠르다곤 할 수 없습니다.
경쟁사에선 곧 10나노급 제품 출시를 하기때문입니다.