삼성전자 19나노 TLC낸드플래쉬 양산돌입

▲19nm로 제작되는 TLC메모리 1개에 16GB용량

삼성전자가 이번달부터 고성능 ‘10나노급(1나노:10억분의 1미터) 128Gb(기가비트) 낸드플래시 메모리’ 본격 양산에 돌입했다. 

삼성전자는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시 양산을 통해 대용량 내장 스토리지와 SSD 시장을 본격적으로 확대하여 기존 64Gb MLC 낸드플래시 시장을 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다. 

삼성전자는 2012년 11월에 10나노급 64Gb MLC 낸드플래시를 양산한 데 이어 5개월만에 두 배 용량의 10나노급 128Gb 낸드플래시 제품 양산에 들어갔다. 

삼성전자는 이를 통해 대용량 eMMC, SSD 등 업계 최대의 대용량 메모리 스토리지 라인업을 더욱 강화하게 됐다. 

이번에 양산에 들어간 128Gb 낸드플래시는 10나노급 3bit MLC 설계를 기반으로 토글(Toggle) DDR 2.0의 고속 인터페이스를 적용한 업계 최고 수준의 고성능 제품으로 특히 10나노급 128Gb 3bit MLC는 20나노급 64Gb MLC 대비 2배 이상 생산성이 높다. 

※ 토글(Toggle) DDR 2.0: 일반 낸드제품 대비 속도를 배가한 초고속 낸드 규격 

삼성전자는 지난 2010년 양산 개시한 20나노급 64Gb 3bit MLC 낸드 플래시 제품을 2012년 9월에 출시된 SSD 840시리즈에 탑재해 250GB 이상 대용량 SSD 시장을 크게 확대시켰다. 

또한 대용량 메모리 스토리지 시장에서 20나노급 64Gb MLC 낸드플래시 시장은 64Gb 3bit MLC 낸드플래시 시장으로 빠르게 전환되어 왔다. 

올해는 128Gb 3bit MLC 낸드플래시가 128GB 메모리 카드 시장과 500GB이상 대용량 SSD 시장을 더욱 확대시켜 SSD 대중화 시대를 앞당기는데 크게 기여할 것으로 전망된다. 

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 “이번에 고성능 128Gb 낸드플래시를 본격 양산함으로써 대용량 스토리지 시장에서 제품 경쟁력을 더욱 강화시키게 되었다”며 “향후에도 차세대 메모리 제품을 적기에 출시해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다. 

향후에도 삼성전자는 차세대 3bit MLC 낸드 기반의 고성능 대용량 SSD와 내장스토리지 제품과 차별화된 솔루션을 선행 제공하여 기술 경쟁력 우위를 지속 유지하고 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도해 나갈 예정이다.

▶발표자료에 3bit MLC라고 설명되어있지만 사실상 우리가 알고있는 2bit MLC가 아니라 TLC 낸드플래쉬입니다.

▶세계최초로 10나노급 양산을 시작한건 도시바 2011년 7월 19나노급발표, 2012년 1월 도시바가 19nm 양산으로 10나노급 벽을 깼습니다. 

삼성전자 미세공정 발전순서

삼성 NAND메모리 공정발전	삼성 DRAM메모리 공정발전	삼성 비메모리 공정발전
63nm 51nm 42nm 32nm *삼성SSD s470 27nm *삼성SSD 830 21nm *삼성SSD 840 19nm *삼성SSD 840 EVO(TLC) 16nm  (예정)	68nm 56nm 46nm 35nm 28nm x 25nm y 21nm z (예정)	90nm  *비메모리 첫 시장진입*  65nm  45nm 32nm HKMG 28nm HKMG 20nm HKMG  (예정) 14nm FinFET (예정)