하이닉스반도체, 세계 최초 2Gb 모바일 D램 개발

하이닉스반도체는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.

이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로 멀티 칩 패키지(MCP; Multi Chip Package)와 패키지 온 패키지(PoP; Package on Package) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중, 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다. 전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다. 또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능해, 탑재되는 기기의 사양에 맞추어 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다.

다양한 성능을 갖춘 이번 제품은 모바일 인터넷 디바이스(MID; Mobile Internet Device)를 비롯한 울트라 모바일 PC(UMPC; Ultra Mobile PC) 등의 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 고용량화∙저전력화∙고속화∙소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 것으로 보인다. 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 내년 상반기부터 양산될 예정이다.

시장 조사기관 아이서플라이의 보고서에 따르면 모바일 D램 시장이 2007년부터 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 2007년 30% 수준에서 2012년 83%까지 성장할 것으로 보고 있다.

이러한 시장추세에 발맞추어 하이닉스는 지난 2006년 12월, 세계 최고속 512메가비트 모바일 D램 개발을 시작으로 올 상반기에는 66나노 최소형 1기가비트 모바일 D램과 최고속 1기가비트 LPDDR2 등 고부가가치 제품인 모바일 D램 제품 생산의 비중을 늘려 왔다. 하이닉스는 향후에도 기술경쟁력을 기반으로 제품 포트폴리오의 다양화를 통해 회사의 경쟁력을 한층 더 확고히 하고, 아이서플라이 기준 현재 약 11%인 모바일 D램 시장 점유율을 연말까지 20%로 확대해 수익성을 더욱 제고할 계획이다.