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IT/Hardware/Storage141

하이닉스반도체, 20나노급 64Gb 낸드플래시 양산시작 하이닉스반도체는 8일(日), 지난 2월에 개발한 20나노급 64기가비트(Gb) 낸드플래시 제품 양산을 시작한다고 밝혔다. 하이닉스는 이 제품의 성공적인 양산을 통해 업계 선두수준의 기술력을 확보했으며, 기존 30나노급 32기가비트 제품 대비 생산성이 약 60% 가량 향상되어 업계 최고수준의 원가 경쟁력도 확보했다고 설명했다. 낸드플래시 제품의 고용량화를 위해서는 한 개의 패키지안에 여러 개의 단일 칩을 적층하는데, 단일칩에서 64기가비트를 구현함으로써 동일한 크기의 패키지에서 기존 대비 2배의 용량 구현이 가능해졌다. 이 제품 16개를 적층할 경우 128기가바이트(GB) 용량을 하나의 패키지에서 구현 가능하게 되고, 이를 통해 모바일 제품이 요구하는 초소형·고용량 제품 공급 및 고용량 스토리지 부문의 대.. 2010. 8. 9.
삼성전자, 세계 최초 30나노급 D램 양산 삼성전자가 세계 최초로 30나노급 D램 양산에 나선다. 삼성전자는 30나노급 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 이 달부터 양산하기 시작했다고 21일 밝혔다. 30나노급 D램은 생산성 향상에 따른 높은 원가경쟁력을 확보하고 있을 뿐 아니라, 최고의 성능과 에너지 효율성을 갖춘 제품이다. 30나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 DDR3 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다. 삼성전자는 30나노급 DDR3 D램의 데이터 처리속도를 PC용 제품으로는 최고 속도인 2,133Mbps(Megabit Per Second)로 구현했다. 이는 1,333.. 2010. 7. 21.
삼성전자, 32GB LRDIMM 모듈 개발 삼성전자는 29일, 서버에서 고성능 메모리의 용량을 확대할 수 있는 32GB(기가바이트) LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Module) 모듈을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. 이번에 개발된 32GB LRDIMM 모듈은 40나노급 4Gb DDR3 D램 72개와 메모리 칩의 로딩을 줄여 주는 버퍼칩으로 구성되어 있어, CPU와 메모리 사이의 데이터 이동을 원활하게 해 속도를 개선한 제품이다. 삼성전자는 이로써 지난 2월부터 양산한 40나노급 4Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 이용해 다양한 메모리 모듈 라인업을 구축했다. 삼성전자는 그 동안 서버용 32GB RDIMM(Registered Dual In-Line Memory Module.. 2010. 6. 29.
웬디 640G제품군 500GB플래터로 업그레이드 원래 웬디 640G제품군은 320G 플래터 2장 구성으로 640G 제품을 만들었으나 최근 500GB 플래터로 소폭의 변화가 있었다. 웬디 블루 6400AAKS 모델은 00A7B0 00A7B2 22A7B0 22A7B2 00H2B0 이런 모델이 유통되었으나 실질적인 성능의 차이는 없었다. 하지만 올해 초부터 500GB 플래터가 본격적으로 제품이 쓰이기 시작한 이후로 640GB 제품군도 플래터의 변화가 생겨났다. 웬디 블루 WD6400AAKS-00E4A0 500GB 플래터 1장 반 7200rpm 16MB 캐쉬 SATA2지원 웬디 블랙 WD6402AAEX-00Z3A0 500GB 플래터 1장 반 7200rpm 64MB 캐쉬 SATA3지원 기존에 유통되던 WD6400AAKS-00A7B0 500GB플래터 신형 WD6.. 2010. 6. 16.
히타치 GST, 초고속, 대용량, 초경량, 7mm ‘Z 시리즈’ 하드디스크 출시 히타치 글로벌 스토리지 테크놀러지스(이하 히타치 GST)는 오늘 업계 최대 규모의 초슬림·초경량 7mm 두께의 하드디스크 제품군을 발표했다. ‘Z시리즈’라고 명명된 히타치 GST의 새로운 제품군은 안정성, 저전력, 충격방지 및 저소음 등 기존에 입증된 히타치 GST 제품의 장점을 바탕으로 초고속, 대용량, 동영상 스트리밍 특화 등 고객의 다양한 필요를 충족시켜줄 수 있는 기능을 장착한 7mm 두께의 슬림형 드라이브 제품군이다. 용량별로 다양한 제품이 출시되며, 특히 디스크 한 장형 7mm 하드디스크 제품으로는 업계 최대 수준인 320GB까지 제공해, 9.5mm에서 7mm로 더욱 얇아지고 있는 2.5인치 하드디스크 제품 시장에서 히타치 GST의 선도적인 입지를 증명하는 계기가 될 것으로 보인다. 히타치 G.. 2010. 6. 7.
웬디 667GB 플래터 사용한 1.5TB 하드디스크(WD15EARS-00MVWB0) 출시 WesternDigital 3.5 인치 HDD "WD15EARS"의 신모델 WD15EARS-00MVWB0가 발매되었다. WD15EARS-00MVWB0는 667GB 플래터를 사용하고있고 5000RPM,1.5TB용량에 SATA HDD. 일전에 발매된 자사의 2TB HDD WD20EARS-00MVWB0의 하위 모델로, 부품 번호 끝에 동일한 MVWB0가 붙어있다. 주요 사양 인터페이스 Serial ATA 3Gbps, 회전수는 밝혀지지 않은 (IntelliPower), 캐시 용량이 64MB. 본문에 기록되어있는 전력은 기존 모델 (5VDC 0.7A, 12VDC 0.55A)와 동일하다. WD15EARS-00MVWB0 (667GB 플래터) WD15EARS-00Z5B1 (500GB 플래터3장) 2010. 6. 7.
삼성전자, 세계 최초 스마트폰용 8Gb ‘원낸드’ 출시 스마트폰 시장이 빠르게 확대되고 있는 가운데 삼성전자는 6일 세계 최초로 스마트폰용 8Gb(기가비트) ‘원낸드(OneNAND™)’ 제품을 출시하고 이 달부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 삼성전자가 이번에 출시한 8Gb ‘원낸드’는 30나노급 SLC(Single-Level Cell) 낸드플래시를 기반으로 한 대용량·고성능의 내장 메모리 솔루션이다. 낸드플래시를 기반으로 컨트롤러를 포함해 기존 낸드플래시보다 읽기 속도를 대폭 높인 ‘원낸드’는 휴대전화의 운영체제를 저장하고 어플리케이션을 설치하는 내장 메모리로 사용된다. 삼성전자는 8Gb ‘원낸드’와 D램을 적층해 기존 ‘원낸드’ 제품과 같은 크기의 MCP(Multi-chip Package)로 만들어 스마트폰 제조업체들이 제품을 개발할 때 쉽게 적용할 수 있도.. 2010. 5. 6.
엘피다(ELPIDA) 40nm 4Gb DDR3 SDRAM 개발완료 엘피다 메모리 주식 회사는 이번에 세계 최대 용량이되는 4Gb DDR3 SDRAM의 개발을 완료했습니다. 우리는 최첨단 40nm 프로세스 설계, 40nm 프로세스 2G 비트 DDR3 SDRAM 2 개 (4Gb 상당)에 비해 전력 소비를 30 % 절감, 서버, 데이터 센터 등 고밀도 메모리 시스템의 저소비 전력화에 기여 환경 친화적인 DRAM입니다. DDR3 표준 1.5V뿐 아니라 낮은 전압 1.35V을 지원하기위한 시스템을 더욱 저전력화에 기여합니다. 엘피다 4Gb DDR3 SDRAM은 서버용 세계 최대 용량이되는 32GB RDIMM (4Gb DDR3 SDRAM DDP※를 36 개 탑재), 고속・대용량을 실현하는 새로운 표준 LR DIMM (Load Reduced DIMM)을 개요 워크 스테이션의 8GB.. 2010. 4. 22.
삼성전자, 세계 최초 20나노급 낸드 양산 삼성전자는 19일 세계 최초로 20나노급 공정으로 32Gb MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다고 밝혔다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드플래시의 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했다. 20나노급 MLC 낸드플래시는 30나노급 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높고, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상은 물론 30나노급 낸드 제품과 동등 수준의 신뢰성도 확보했다. 삼성전자 20나노급 MLC 낸드플래시는 ‘SD 카드’ 제품으로 먼저 출시됐다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다. 또, moviNAND™까지 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으.. 2010. 4. 19.
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