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IT/Hardware/Storage141

웬디 7mm 1TB 하드디스크 (WD10SPCX-00HWST0) 사용기 ▲웬디 블랙 1TB (WD10SPCX-00HWST0 ) 용량 1TB500GB 플래터 2장5400RPM캐쉬 16MB사타3 소비전력아이들 0.57W읽기-쓰기 1.7W절전모드 0.18W WD (웨스턴 디지털)에서 7mm 두께로 1TB 용량을 실현한 2.5 인치 HDD "WD10SPCX '이 발표되었다. 출시에 앞서 제품을 입수 했으므로, 벤치 마크를 중심으로 한 보고서를 전달하고 싶다. 얼마전 용량 500GB에서 5mm 두께의 "WD5000MPCK"의 사용기를 썼다. 다양한 독자적인 기술을 적용하고 불과 5mm 두께로 기존의 2.5 인치 HDD와 동일한 성능을 실현 한 특징은 알려진대로 대단했다. WD10SPCX도이 박형화 기술을 적용하고 7mm 두께이면서 2개의 플래터의 내장을 실현. 500GB 플래터를 채.. 2013. 9. 6.
오버클럭가능한 인텔SSD 성능테스트 결과 인텔은 다음달 열리는 개발자포럼에서 오버클럭가능한 SSD를 정식으로 공개할 예정이지만PAX Prime 2013행사장에서 오버클럭킹 SSD 데모를 선보였습니다. 인텔 CPU중에 K버전을 들어보았을겁니다.i7-4770K를 예를들면 i7-4770에서 오버클럭이 가능해진 CPU를 뜻하는데요. 인텔은 SSD제품군에 K버전을 도입할 계획을 가지고 있습니다.SSD를 오버클럭을 가능케하여 성능을 좀 더 쥐어짤 수 있습니다. 오버클럭은 2가지로 행해지는데 첫쨰, SSD컨트롤러의 클럭을 향상시키는것 둘째, 낸드메모리 클럭을 향상시키는것입니다. 인텔이 시연한 SSD 오버클럭의 실제성능은 어떤지 살펴봅시다. SSD 제품넘버 SSDSC2BB480G4 : BTWL3070050Z480QGN 모델입니다. 이 제품넘버는 기업용으로 출.. 2013. 9. 2.
삼성전자에 도전하는 도시바의 3D 낸드플래쉬 대용량 NAND 플래시 메모리가 마침내 3D화 (3차원화)했다. "3D NAND"기술은 메모리 셀을 3차원 화하는 것으로, 실리콘 면적당 기억용량 (메모리 밀도)를 기존의 메모리 셀 기술 ( "2D NAND"또는 "평면 NAND"등으로 불린다)에 비해 비약적으로 강화된 기술이다. 대용량 NAND 플래시 메모리 개발 기업은 많지 않다. 삼성전자, SK하이닉스, 도시바와 샌디스크 연합개발 팀, 미국 마이크론과 인텔의 공동개발팀이 있다. 총 4개의 연구 개발 그룹밖에 없다고 해도 NAND 플래시의 개발 경쟁은 치열하다. 업체들은 가격 인하 경쟁으로 값이 폭락해 거액의 적자를 쓴 역사가있다. 대용량화와 저비용화를 양립시키는 비장의 카드로서, 이전부터 3D NAND 기술에 큰 기대가 걸려왔다. 위의 4개 기업 (.. 2013. 8. 19.
삼성전자가 생각하는 차세대 메모리 아키텍쳐의 방향 ▲2013년 8월 6일 삼성전자의 독자 기술 '3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조'와 '3차원 수직적층 공정' 기술이 동시 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다.용량은 16GB 반도체 메모리 기술 및 제품에 대한 이벤트 (강연회 겸 전시회) "MemCon (멤콘)"가 2013년 8월 6일 (현지 시간) 미국 캘리포니아 주 산타 클라라에서 개최되었다. "메모리 컨퍼런스"를 줄인 "MemCon (멤콘) '은 10년이 넘는 역사를 가진 이벤트이며, 반도체 메모리 업계에서 몇 안되는 전문 이벤트이기도하다. 미국 실리콘 밸리에서 출발하는 이벤트인데, 최전성기에는 미국 외에 중국 (상하이)과 일본 (도쿄)에서도 개최된다는 대규모 행사.. 2013. 8. 14.
삼성전자, 세계 최초 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND)플래시 메모리 양산 삼성전자가 세계 최초로 3차원 메모리 반도체 시대를 열었다. 삼성전자는 6일 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념 3차원 수직구조 낸드(3D Vertical NAND, 3D V-NAND) 플래시 메모리의 양산을 시작했다고 밝혔다. 이번 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트(Gigabit) 제품이다. (16GB) 삼성전자의 독자 기술 ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조’와 ‘3차원 수직적층 공정’ 기술이 동시 적용된 이 제품은 기존 20나노급 대비 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다. 지금까지 양산된 낸드플래시 메모리는 게이트에 전하를 저장하는 방식으로 40여 년 전 개발된 플로팅 게이트(Floating Gate) 구조를 적.. 2013. 8. 6.
삼성전자 SSD 840 EVO 신제품 발표회 및 성능테스트 삼성전자는 7월 18일 서울 웨스턴 조선호텔에서 열린 'Samsung SSD Global Summit 2013'라는 이벤트를 개최하였다. 메인스트림 SSD "840 EVO'제품을 발표했으며, 향후에는 PCI Express 기반의 SSD제품에 집중해 나가는 미래 로드맵 등에 대해서도 설명했다. 이번에 발표된 840 EVO 스펙사양은 아래와 같다. 이번 840 EVO는 840노멀제품을 개선한 제품으로 19나노 TLC메모리가 탑재되었다. ▲이쁜모델이 삼성 840 EVO제품을 들고있다. 삼성 840 삼성 840 EVO 삼성 840 프로 용량 120GB250GB 500GB 120GB 250GB 500GB 750GB 1TB128GB 256GB 512GB 낸드플래쉬 종류TLC TLCMLC 낸드플래쉬 규격 Toggle.. 2013. 7. 19.
마이크론 세계최소형 16나노 MLC 낸드플래쉬 공개 ▲마이크론은 세계 최소형 16나노 MLC 낸드플래쉬를 공개했다. 미국 Micron Technology는 7월 16일 업계에서 가장작은 미세공정 16nm 128Gbit MLC NAND 플래시 메모리의 출하를 시작했다고 발표했다. 16nm 프로세스는 플래시 메모리뿐만 아니라 반도체소자 전체적으로 가장 진보된 프로세스이며, 이번 발표했다. 128Gbit의 MLC 칩(16GB)은 16nm 미세공정덕택에 업계에서 가장 작고, 가장 제조단가가 적은것이라고 설명했다. 덧붙여서, 정확한 다이사이즈는 공표되어 있지 않지만, 300mm 웨이퍼에서 약 6TB 분의 칩을 제조 할 수 있다고한다. 현재 특정 고객을위한 샘플출하가 이루어지고 있으며, 칩의 제품화는 2013년 4분기 예정되어 있다. 2014년에는이 칩을 탑재한 S.. 2013. 7. 17.
도시바 세계 최고속도 UHS-Ⅱ지원하는 SD메모리카드 발표 ▲도시바 메모리카드는 읽기속도와 쓰기속도를 제품에 표기하여 신뢰성을 높였다. 도시바는, SD메모리 카드 최신규격 Ver.4.10을 만족하는 고속 시리얼 버스규격인 UHS-Ⅱ에 대응해여, 세계 최고 속도의 쓰기속도를 실현한 SDHC 메모리 카드 「EXCERIA PROTM」 등 2개 시리즈 4개 제품을, 10월부터 차례차례 출시합니다. 신제품은, 「EXCERIA PRO」, 「EXCERIA」의 2개 시리즈로 구성하고 있어, 보다 고속의 전송 규격 UHS-Ⅱ을 지원하여 도시바 독자콘트롤러를 탑재하는 것으로 큰폭으로 전송 속도를 높이고 있습니다. 「EXCERIA PROTM」는 기록 속도가 세계 최고 속도의 240 MB/초로, UHS-Ⅰ지원하던 기존 상품보다 비교해서 약 2.5배의 빠른속도를 실현하고 있습니다. 이.. 2013. 7. 17.
웬디 5mm 초슬림 500GB(WD5000MPCK-00AWHT0) 벤치마크 WD5000MPCK-00AWHT0 외형리뷰 WD (웨스턴 디지털)에서 두께가 5mm의 2.5 인치 HDD "WD5000MPCK '이 발표되었다. 현재 출시되고 있지 않지만, 한번 빌려 벤치마크를 중심으로 간단하게보고 싶다. 본 제품은 플래터 1장만 탑재하여 케이스나 기판 등을 소형화하여 5mm 두께를 실현 한 제품이다. 지금까지 1장의 플래터를 내장한 HDD는 7mm가 가장 얇은것이었지만, 그것보다 더 2mm 얇은된다. 최근 보급이 진행되고있는 울트라북과 초박형 노트북PC에 탑재가 기대된다. 초박형화를위한 커넥터는 소형폼팩터 용 SATA 규격의 "SFF-8784"에지 커넥터를 채용. 따라서 일반적인 SATA와 비교하여 기판의 커넥터 점유 공간을 크게 줄였다. 이번 테스트는 SSF-8784에 대응 한 시스.. 2013. 7. 10.
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