Intel, 340 GHz 실리콘광소자 디바이스 개발
Intel은 7일, 신개발 실리콘광소자 디바이스가, 340GHz로 구동에 성공했다고 발표했다. 이번 개발한 것은, APD(Avalanche Photodetector)로 불리는 디바이스. 이 디바이스는, 흡수역과 증식역으로 불리는 2층으로부터 완성되어, 흡수역으로 광자를 받으면, 증식역으로 전자를 발생시킨다. 이 증식역으로 발생하는 전자의 수는, 종래의 Photodetector의 10~100배나 있어, 이것에 의해 같은 소비 전력으로 광원으로부터의 광자의 송출 거리를 10배에, 혹은 광원의 소비 전력을1/10로 해 같은 거리, 광자를 송출할 수 있다. 이번 달성한 340 GHz라고 하는 주파수는, 종래의 비실리콘제 광전자 소재를 사용한 디바이스를 처음으로 뽑는 것. APD는 보다 염가로 제조할 수 있는 것..
2008. 12. 8.
