반응형 LPDDR42 SK하이닉스와 삼성전자 세계최초로 LPDDR4 3200Mbps 개발성공 SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)가 20나노급 기술을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4) 제품을 세계 최초로 개발했다고 30일(月) 밝혔다. LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 초고속, 저전력의 특성을 갖췄다. 이번에 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 현재 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고 동작전압은 낮춘 것이 특징이다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄으며, 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다. SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip) 업체에.. 2013. 12. 30. 고해상도 타블렛에 맞추어 급발전하는 저전력 메모리 ● PC 메모리에 결국 따라 잡을 스마트 폰 및 타블렛의 메모리 모바일 메모리는 내년 (2013 년)는 대역 "LPDDR3"가 2015 년에는 대역 "LPDDR4"과 "Wide I/O2"가 등장하고, Wide I/O2의 배 대역 버전도 등장 할 전망이다. 그 결과 스마트 폰과 태블릿의 메모리 대역은 내년에는 12.8GB/sec ~ 25.6GB/sec에 도달, 2015 ~ 16 년에는 25.6GB/sec ~ 51.2GB/sec에 도달하기 위하여려고하고있다. 하이엔드 태블릿에서는 메모리 대역은 곧 데스크탑 메인 스트림 PC를 따라 잡고 추월 해 버린다. 전력면에서는 LPDDR4 이후 25.6GB/sec을 1W 이하의 전력으로 실현한다. 반도체의 표준화 단체 인 JEDEC는 10 월 29 일 미국 산타 클라라.. 2012. 11. 16. 이전 1 다음 반응형
