반응형 hynix3 하이닉스반도체, 20나노급 64Gb 낸드플래시 양산시작 하이닉스반도체는 8일(日), 지난 2월에 개발한 20나노급 64기가비트(Gb) 낸드플래시 제품 양산을 시작한다고 밝혔다. 하이닉스는 이 제품의 성공적인 양산을 통해 업계 선두수준의 기술력을 확보했으며, 기존 30나노급 32기가비트 제품 대비 생산성이 약 60% 가량 향상되어 업계 최고수준의 원가 경쟁력도 확보했다고 설명했다. 낸드플래시 제품의 고용량화를 위해서는 한 개의 패키지안에 여러 개의 단일 칩을 적층하는데, 단일칩에서 64기가비트를 구현함으로써 동일한 크기의 패키지에서 기존 대비 2배의 용량 구현이 가능해졌다. 이 제품 16개를 적층할 경우 128기가바이트(GB) 용량을 하나의 패키지에서 구현 가능하게 되고, 이를 통해 모바일 제품이 요구하는 초소형·고용량 제품 공급 및 고용량 스토리지 부문의 대.. 2010. 8. 9. 하이닉스반도체, 20나노급 64기가비트 낸드플래쉬 칩 개발 성공 하이닉스반도체는 20나노급 64기가비트(Gb) 제품 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. 하이닉스는 지난 2009년 8월, 30나노급 기술을 적용한 32 기가비트 낸드플래시 제품에 이어, 불과 6개월 만에 20나노급 64기가비트 제품 개발에 성공함으로써 낸드플래시 분야에서도 업계 최고 수준의 기술경쟁력을 확보하게 됐다. 하이닉스 연구소장인 박성욱 부사장은 “통신기술에 사용되는 ‘노이즈 제거’ 기술을 개발해 조만간 적용하면, 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 20나노급 이하까지 확장해 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다”고 설명했다. 또한 “이 제품은 새로운 공정의 채용을 최소화해 30나노급 제품 대비 2배 가까운 생산성 향상으로 업계 최고 수준의 원가 경쟁력도 확보할 수 있게 됐다”고 덧붙였다. 20나노급 6.. 2010. 2. 9. 하이닉스반도체, 세계 최초 40나노급 2Gb GDDR5 개발 하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 그래픽 DDR5(이하 GDDR5) 제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 이 제품은 업계 선두 기술인 40 나노급 공정이 적용되었고, 기존 50나노급 1기가비트 제품보다 용량이 2배 증가해 고용량 제품을 원하는 고객의 요구를 만족시키게 됐다. 또한, 7Gbps의 처리속도로 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 28기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있고, 1.35V의 저전력 동작으로 에너지 소모를 기존대비 20% 줄인 친환경 제품이다. 그래픽 메모리는 개인용 PC나 게임기 등에서 영상을 처리하는 메모리로서 범용 D램보다 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있는 것이 특징이다. 최근 .. 2009. 12. 22. 이전 1 다음 반응형
