글로벌파운드리 3D FinFET 트랜지스터를 이용한 14nm XM 기술을 발표글로벌파운드리 3D FinFET 트랜지스터를 이용한 14nm XM 기술을 발표

Posted at 2012.09.25 13:27 | Posted in IT/Hardware/CPU/MB




미국 글로벌파운더리는 9월 20일, 3차원 FinFET 트랜지스터를 이용한 14nm XM 기술을 발표했다.


 "eXtreme Mobility"의 약자가 나타내는대로, 모바일 기기용 SoC를 상정해, 20nm LPM 프로세스 요소와 14nm FinFET 소자를 조합 한 모듈 기술. FinFET는 Intel이 22nm 프로세스에서 사용한 것과 같은 3 차원 트랜지스터로 기존의 2 차원 트랜지스터보다 누설 전류가 적고, 저전압 동작이 가능하다. 

현재 20nm급 2차원 트랜지스터에 비해 배터리 수명을 40 ~ 60% 향상시킬 수있다.


 현재 뉴욕에있는 Fab8에서 테스트 칩 시제품을 진행하고 있으며, 고객에 대한 제품 테이프 아웃은 2013년 예정.


 회사는 ARM과 Cortex-A 시리즈 SoC 솔루션 공동 개발에 합의했다. 이 합의는 연장되어 향후 ARM 제품에 이번 기술을 적용 해 나간다. 






저작자 표시 비영리 변경 금지
신고
크리에이티브 커먼즈 라이선스
Creative Commons License

Name __

Password __

Link (Your Website)

Comment

SECRET | 비밀글로 남기기

티스토리 툴바

free counters