글로벌파운드리 3D FinFET 트랜지스터를 이용한 14nm XM 기술을 발표

미국 글로벌파운더리는 9월 20일, 3차원 FinFET 트랜지스터를 이용한 14nm XM 기술을 발표했다.

　"eXtreme Mobility"의 약자가 나타내는대로, 모바일 기기용 SoC를 상정해, 20nm LPM 프로세스 요소와 14nm FinFET 소자를 조합 한 모듈 기술. FinFET는 Intel이 22nm 프로세스에서 사용한 것과 같은 3 차원 트랜지스터로 기존의 2 차원 트랜지스터보다 누설 전류가 적고, 저전압 동작이 가능하다. 

현재 20nm급 2차원 트랜지스터에 비해 배터리 수명을 40 ~ 60% 향상시킬 수있다.

　현재 뉴욕에있는 Fab8에서 테스트 칩 시제품을 진행하고 있으며, 고객에 대한 제품 테이프 아웃은 2013년 예정.

　회사는 ARM과 Cortex-A 시리즈 SoC 솔루션 공동 개발에 합의했다. 이 합의는 연장되어 향후 ARM 제품에 이번 기술을 적용 해 나간다.