하이닉스 25nm LPDDR3 1GB 개발완료

LPDDR램은 주로 스마트폰이나 태블릿에 탑재되는 메모리로 풀HD(1920 x 1080)를 넘어서는 초고해상도제품들의 출현(2560 x 1600)으로 메모리대역폭의 한계가 도달하고 있다. 이러한 상황에서 고속으로 동작하는 2133Mbps LPDDR3램의 등장은 그래픽메모리 대역폭을 해결해주는 결정적 핵심부품이다.

삼성전자가 지난 4월 25nm LPDDR3 512MB 2133Mbps 양산을 실시한데 이어서 하이닉스도 25nm LPDDR3 1GB 2133Mbps 제품개발에 성공했다. 

올해말부터 양산이 실시되는 하이닉스의 LPDDR3 1GB램은 삼성전자와 차별화되는 대용량메모리로 내년부터 4단 적층 패키지기술을 이용한 4GB램이 달린 갤럭시S5나 옵티머스G3 등의 스마트폰이나 태블릿을 볼 수 있다.

현시점에서 갤럭시노트3 개발작업을 벌이고있는 삼성전자는 타사 기기와 차별화를위해 갤럭시노트3에 기술의 난이도가 높은 6단적층기술과 25nm LPDDR3 512MB을 이용하여 3GB램을 구성한다는 계획이다.

SK하이닉스는 이미 이 제품을 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다.