IBM과 글로벌파운드리는 22nm 기술에 대해 말하다.

AMD와  ATIC(Advanced Technology Investment Company)의 합작 투자 기업인 Globalfoundries는, 차세대 모바일 장치들이 더욱 높은 연산력을 갖고, 광대하게 개선된 배터리 수명을 갖도록 한 단계 더 발전하게 해주는,  high-k metal gate (HKMG) 트랜지스터들을 발전시키는 데에 있어서, 존재하는 주요 장매물들 중에 하나가 극복될 수 있다고, 화요일에  혁신적인 기술을 자세히 설명했다.

일본, 도쿄에 열린 2009  Symposium on VLSI Technology 에서, Globalfoundries는 이 기술이, 22nm node을 위해 필요한 수준으로 잘 도약하기 위해서, high-k metal gate (HKMG)에서의 equivalent oxide thickness (EOT) 축소를 가능하게 해준다고 보고했다. 반면에 낮은 전력누수, 낮은 시작전압, 상급의 운반 이동성 등의 조합은 유지하고 있다. Globalfoundries과 IBM에 의해서 공동으로 진행된 이 새로운 연구는, 22nm node 이상을 위한 반도체 부품들의 계속된 크기 줄이기를 가능하도록 설계되었다.

HKMG 트랜지스터의 switching precision(정밀성)를 유지하기 위해, high-k oxide layer의 EOT는 반드시 줄여져야 한다. 하지만, EOT를 줄이는 것은 누수 전류를 증가시키며, 이것은 모바일 칩의 전력소비를 증가시키는데 있어서 기여를 할 수 있다. 그래서 Globalfoundries 와 IBM은 이런 장벽을 극복하는 새로운 기술을 개발했고, 처음을 위한 시연에서, 낮은 전력누수, 낮은 시작전압, 상급의 운반 이동성 등의 필수적인 조합을 유지하면서, 22nm node을 도약하기 위한 EOT scaling 은 성공 될 수 있다는 것을 시연하였다. 그리고 그 결과물들은  0.7nm의 EOT를 가진 p-MOSFET과 0.55nm의 EOT를 가진 n-MOSFET의 제조를 통해 성공적으로 전시되었다.

"HKMG는 Globalfoundries의 기술 로드맵에서 중요한 부분이다. 이런 발전은 결국에 소비자들에게 자신들의 제품들의 성능을 향상시키기위한 또다른 도구를 제공하게 할 수 있으며. 특히 확장된 배터리 수명을 가진 ultra-portable 노트북과 스마트폰을 위해 가장 빠르게 성장하고 있는 시장에서 더욱 필요할 것이다.

그리고, IBM과 다른 연합 파트너들과의 협력으로, 우리는 우리의 고객들이 반도체 제조에서 최신 기술을 사용할 수 있도록 해주는, 발전된 기술들의 개발을 위한 우리의 글로벌 지식 기반를 발전시키게 되었다." 고 Globalfoundries의 연구/개발 및 기술부 이사인 Gregg Bartlett 씨는 말했다.