TSMC 40nm/28nm/22nm기술에 대해 말하다.

TSMC R&D 총괄 수석부사장 Shang-Yi Chiang씨는 일본에서 열린 TSMC Japan포럼에서 40nm 물량과 수율문제 High-K와 28nm 22nm 기술에대해 이야기했습니다.

1. 40nm 물량 부족문제

40nm기술은 이전 세대에 비해 높은 수요가 맞물렸는데 현재 Fab 12에서 분기별로 12인치 웨이퍼가 8,000개 생산이 가능하고 Fab 14에서도 생산에 들어갈 것이고 올 해말쯤에는 두 배가되는 160,000개를 생산할 예정입니다.

2. 40nm 수율 문제

TSMC 40nm 수율문제는 작년 하반기에 해결을 했는데 지금은 재빠르게 수요를 충족시키고 있습니다.

45nm/40nm의 이행은 지금까지 제일 난이도가 높았으며 처음으로 193nm 침윤식 노광기술을 사용했기떄문에 결함율이 상당히 높았습니다.

TSMC는 k수치가 2.5인 2세대 low-k재료로 반도체를 제작을 했기때문에 양산초기에 수율을 끌어올리기가 매우 힘들었습니다.

3. 28nm 공정

TSMC의 28nm 기술은 첫 번째 버전은 저전력 28nm LP로, 폴리 실리콘 게이트와 실리콘 이산화 질산의 도입하여, 올해 6월말부터 생산을 시작할 것입니다.

4. High-K Metal Gate

고성능 버전의 28nm HP 공정은 HKMG(High-K Metal Gate)기술을 사용합니다. 올해 9월부터 생산을 시작하며, 12월에는 28nm HPL을 도입합니다.

5, 22nm 계획

TSMC는 28nm기술 2년 후에 22nm로 넘어갈 것입니다. 아마 2012년 3분기가 될 것 같습니다.

초기에는 고성능제품이 2013년 Q1에는 저전력제품이 나옵니다.

6. 리소그래피

당분간 TSMC는 193nm 침윤식 광각 기술을 사용합니다. 만약 극자외선(EUV)나 다중 전자기술 등이 발전하여 가격이 저렴해 지면 도입할 수도 있습니다.

EUV장비를 도입하는 비용은 1대에 $8000만이 필요한다고 밝혔습니다.