SK하이닉스, 3D 적층D램 AMD와 엔비디아에 공급
SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 제품을 개발하는데 성공했다고 2013년 12월 26일 밝혔다. 이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품으로 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 특히, 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다. SK하이닉스는 이..
2014. 4. 5.
