반응형 삼성전자116 삼성전자, 32GB LRDIMM 모듈 개발 삼성전자는 29일, 서버에서 고성능 메모리의 용량을 확대할 수 있는 32GB(기가바이트) LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Module) 모듈을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. 이번에 개발된 32GB LRDIMM 모듈은 40나노급 4Gb DDR3 D램 72개와 메모리 칩의 로딩을 줄여 주는 버퍼칩으로 구성되어 있어, CPU와 메모리 사이의 데이터 이동을 원활하게 해 속도를 개선한 제품이다. 삼성전자는 이로써 지난 2월부터 양산한 40나노급 4Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 이용해 다양한 메모리 모듈 라인업을 구축했다. 삼성전자는 그 동안 서버용 32GB RDIMM(Registered Dual In-Line Memory Module.. 2010. 6. 29. 삼성전자, 갤럭시S 국내 발표 삼성전자의 글로벌 전략 스마트폰 ‘갤럭시 S’가 드디어 국내 시장에 모습을 드러냈다. 삼성전자는 8일 서울 서초사옥 다목적홀에서 ‘갤럭시 S 미디어데이’ 행사를 갖고 국내시장용 ‘갤럭시 S’(SHW-M110S)를 공개했다. 삼성전자는 이 제품을 SKT를 통해 이 달 내로 출시할 예정이다. ‘갤럭시 S’는 깊이가 다른 생활 친화형 애플리케이션의 ‘슈퍼 애플리케이션’, 현존 최고 화질의 ‘슈퍼 아몰레드’, 9.9mm 초슬림 두께의 ‘슈퍼 디자인’ 등 3S로 새로운 스마트폰 경험을 제공한다. 혁신성으로 글로벌 스마트폰 시장에 새로운 바람 기대 이 날 행사에는 삼성전자 무선사업부장 신종균 사장, SK텔레콤의 하성민 사장, 구글 앤디의 루빈 부사장 등이 참석했다. ‘갤럭시 S’는 지난 3월말 미국‘CTIA 201.. 2010. 6. 8. 삼성전자, 세계 최초 스마트폰용 8Gb ‘원낸드’ 출시 스마트폰 시장이 빠르게 확대되고 있는 가운데 삼성전자는 6일 세계 최초로 스마트폰용 8Gb(기가비트) ‘원낸드(OneNAND™)’ 제품을 출시하고 이 달부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 삼성전자가 이번에 출시한 8Gb ‘원낸드’는 30나노급 SLC(Single-Level Cell) 낸드플래시를 기반으로 한 대용량·고성능의 내장 메모리 솔루션이다. 낸드플래시를 기반으로 컨트롤러를 포함해 기존 낸드플래시보다 읽기 속도를 대폭 높인 ‘원낸드’는 휴대전화의 운영체제를 저장하고 어플리케이션을 설치하는 내장 메모리로 사용된다. 삼성전자는 8Gb ‘원낸드’와 D램을 적층해 기존 ‘원낸드’ 제품과 같은 크기의 MCP(Multi-chip Package)로 만들어 스마트폰 제조업체들이 제품을 개발할 때 쉽게 적용할 수 있도.. 2010. 5. 6. 삼성전자, 세계 최초 20나노급 낸드 양산 삼성전자는 19일 세계 최초로 20나노급 공정으로 32Gb MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다고 밝혔다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드플래시의 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했다. 20나노급 MLC 낸드플래시는 30나노급 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높고, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상은 물론 30나노급 낸드 제품과 동등 수준의 신뢰성도 확보했다. 삼성전자 20나노급 MLC 낸드플래시는 ‘SD 카드’ 제품으로 먼저 출시됐다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다. 또, moviNAND™까지 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으.. 2010. 4. 19. 삼성전자, 세계 최초 ‘32GB D램 모듈’ 출시 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 32GB(기가바이트) D램 모듈을 출시하며 대용량 메모리 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 지난 2월부터 양산에 들어간 40나노급 4Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 적용한 서버용 32GB D램 모듈(RDIMM)을 다음달부터 양산에 들어갈 예정이다. 삼성전자는 지난해 3월 세계 최초로 50나노급 2Gb D램을 적용한 16GB D램 모듈을 양산한 데 이어, 이번에 세계 최초로 용량을 두 배로 늘린 32GB D램 모듈을 양산한다. 삼성전자는 32GB 모듈 출시로 PC용 4GB D램 모듈에서부터 서버용 32GB D램 모듈까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보해, 주요 서버 업체를 비롯한 IT 업체들을 대상으로 그린 메모리 전략을 폭넓게 .. 2010. 3. 30. 하드디스크 제조사별 AS정책안내 데이터스토리지전문 리서치회사 트렌드포커스에 따르면 2009년 하드디스크 세계시장 점유율은 1/ Seagate31.4% 2/ WD 29.6% 3/ Hitachi GST16.4% 4/ Toshiba 9.9% 5/ Samsung 9.2% 6/ Fujitsu 3.4% 7/ ExcelStor 0.1% Total 100.0% 1위 시게이트 2위 웨스턴디지탈이 나란히 경쟁하고 있습니다. 2009년 한 해 출하된 HDD는 5억 5천만개로 당초 예상치보다 밑도는 수치이지만 2010년은 6억 6천만개의 HDD를 출하를 예상하고 있습니다. 이제 국내 하드디스크 A/S정책에 대해 알아봅시다. 먼저 RMA(Return Merchandise Authorization)란 무엇인가? 쉽게말해 유통사가 아닌 제조사가 보증하는것으로 외.. 2010. 3. 12. 삼성전자, 세계 최초 ‘4기가비트 DDR3 D램’ 양산 삼성전자가 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산에 들어가며 대용량 D램 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 밝혔다. 지난 2005년 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작했고, 2007년 9월 2Gb DDR2 D램 양산에 이어, 이번에 4Gb DDR3 D램을 양산하며 대용량 D램의 세계 최초 양산 기록을 이어 가게 됐다. 삼성전자는 이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램으로 △ 서버용 32GB(기가바이트), 16GB 모듈과 △ 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 8GB 모듈, △ 노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 .. 2010. 2. 24. 삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발 삼성전자가 지난 1월 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다. 삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 삼성전자는 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다. 그 동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔으나, 삼성전자는 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 한계를 극복하고 30나노급 공정을 개발해 냈다. 또한, 삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸렸는데 비해, 30나노급 공정을 1년 만에 개발해 내면서 기술 개발의 의미를 더 했다.. 2010. 2. 1. 옴니아2 초특가 행사 http://www.lotte.com/lotte/sitemap/category/LCCategorySpePlanMain_001.jsp?curDispNo=048002448&curDepth=3 애플 '아이폰'에 대한 삼성전자의 반격이 시작됐다. 삼성전자와 SK텔레콤은 애플 아이폰이 시판되는 28일에 맞춰 스마트폰 'T*옴니아2'의 가격을 아이폰 수준으로 낮춰 판매할 계획이다. 두 회사는 현재 'T*옴니아2 프로모션' 세부계획을 마련 중이다. 지난 10월 16일부터 시판된 'T*옴니아2' 출고가격은 2기가바이트(2GB) 기종(M710)이 92만4000원, 8GB 기종(M715)이 96만8000원이다. T*옴니아2는 현재 SK텔레콤에서 2년 약정으로 스마트폰요금제인 '올인원'에 가입하면 요금할인과 단말기 보조금 .. 2009. 11. 26. 이전 1 ··· 7 8 9 10 11 12 13 다음 반응형
