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LPDDR39

SK하이닉스와 삼성전자 세계최초로 LPDDR4 3200Mbps 개발성공 SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)가 20나노급 기술을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4) 제품을 세계 최초로 개발했다고 30일(月) 밝혔다. LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 초고속, 저전력의 특성을 갖췄다. 이번에 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 현재 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고 동작전압은 낮춘 것이 특징이다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄으며, 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다. SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip) 업체에.. 2013. 12. 30.

SK하이닉스 스마트폰 3GB램 개발 ▲뒤에 폰은 LG전자의 G2 SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)는 차세대 고사양 모바일 기기에 채용될 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했다고 30일(水) 밝혔다. 이 제품은 20나노급 기술이 적용됐으며, 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 최적의 모바일 메모리 솔루션이다. 이 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있는데, 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 된다. 또한 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성을 만족시킨다. 이.. 2013. 10. 30.

삼성전자, 스마트폰용 3GB메모리 시대 개막 삼성전자가 세계 최초로 스마트폰용 모바일 D램 3GB(기가바이트)시대를 열었다. 삼성전자는 24일 차세대 스마트폰에 탑재되는 3GB 모바일 D램 양산에 돌입했다고 밝혔다 삼성전자 3GB 모바일 D램 제품을 양산하게 됨에 따라 현재 2GB 제품이 주종을 이루는 스마트폰용 모바일 D램 시장은 또 한 번의 세대교체를 이룰 것으로 예상된다. 이번 제품은 세계 최소 칩 사이즈인 20나노급 4Gb (기가비트) LPDDR3 칩 6개를 대칭으로 3단 적층 한 제품으로 업계 최초 3GB의 고용량과 0.8mm 초박형 사이즈를 동시에 구현해 스마트폰의 슬림한 디자인과 더 큰 배터리 용량 확보를 가능하게 한다. 또한 Full HD급 고화질 영화감상과 빠른 멀티태스킹을 지원하며 데이터 다운로드 속도를 보다 빠르게 해 차세대 통.. 2013. 7. 24.

하이닉스 25nm LPDDR3 1GB 개발완료 LPDDR램은 주로 스마트폰이나 태블릿에 탑재되는 메모리로 풀HD(1920 x 1080)를 넘어서는 초고해상도제품들의 출현(2560 x 1600)으로 메모리대역폭의 한계가 도달하고 있다. 이러한 상황에서 고속으로 동작하는 2133Mbps LPDDR3램의 등장은 그래픽메모리 대역폭을 해결해주는 결정적 핵심부품이다. 삼성전자가 지난 4월 25nm LPDDR3 512MB 2133Mbps 양산을 실시한데 이어서 하이닉스도 25nm LPDDR3 1GB 2133Mbps 제품개발에 성공했다. 올해말부터 양산이 실시되는 하이닉스의 LPDDR3 1GB램은 삼성전자와 차별화되는 대용량메모리로 내년부터 4단 적층 패키지기술을 이용한 4GB램이 달린 갤럭시S5나 옵티머스G3 등의 스마트폰이나 태블릿을 볼 수 있다. 현시점에서.. 2013. 6. 11.

삼성전자, 25nm LPDDR3 512MB 모바일 D램 양산실시 삼성전자가 올해 출시되는 고사양 모바일기기에서 데이터 처리능력을 크게 향상시킬 수 있는 초고속 모바일 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 4월부터 업계 최초로 20나노급(25나노) 4Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3) 모바일 D램의 양산을 시작했다. 이번 20나노급 모바일 D램은 기존 PC D램과 동일한 수준의 데이터 처리속도인 2133Mbps를 구현한 초고속 제품이다. 4Gb LPDDR3 4개로 구성된 ‘20나노급 2GB(기가바이트) LPDDR3 모바일 D램’은 기존 4Gb LPDDR2 제품 대비 2배 이상 빨라 1초에 Full HD급 영화 약 3편에 해당하는 약 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 5인치 이상의 대화면 스마트폰에서도 Full HD급 .. 2013. 4. 30.

삼성전자 갤럭시 S4 공식스펙 발표 갤럭시S4 공식스펙 (SHV-E300S/SHV-E300K/SHV-E300L) -SKT/KT/LGT-CPU: 엑시노스5410 4코어 + 4코어형태의 빅리틀 구조 (Cortex-A7 절전형4코어 1.2Ghz + Cortex-A15 고성능4코어 1.6Ghz) -GPU: PowerVR SGX 544MP3 -디스플레이: 4.99인치 아몰레드 풀HD(1920x1080), 펜타일구조, 액정밀도 441ppi-램: 2GB LPDDR3 , 내장메모리 32GB (64GB 외부메모리카드지원)-카메라 : 뒷면 1300만 화소(소니 IMX091PQ센서) /전면 200만 화소(삼성 S5K6B2센서)-차세대 와이파이 802.11b/g/n/ac 지원 (Broadcom BCM4752)-배터리 2600 mAh-안드로이드 젤리빈 4.2.2.. 2013. 4. 26.

애플 A6X CPU로 추측하는 2013년 아이패드5 ● 모바일 기기의 진화의 족쇄는 공정 기술과 메모리 대역폭 올 가을 이후에 등장한 스마트 폰과 태블릿에서 내년 (2013 년) 모바일 기기의 진화를 추정 할 수있다. 스마트 폰과 태블릿은 치열한 성능 경쟁을 계속하고 있으며, 빠르게 발전하고있다. 그러나 진화의 족쇄도있다. 큰 걸림돌은 핵심 모바일 SoC (System on a Chip)를 제조하는 공정 기술과 SoC에 데이터를 전송하는 메모리 대역이다. 이 두 요소의 변화가 스마트 폰과 태블릿의 진화를 크게 좌우한다. 또한, CPU 코어와 GPU 코어 아키텍처의 변화도 진화의 열쇠가된다. 올해 (2012 년) 가을의 스마트 폰 및 타블렛의 큰 변화는 애플의 라인업 일신에서 이것은 Apple의 모바일 SoC를 제조하는 삼성전자의 공정 기술이 45nm에서 .. 2012. 11. 30.

고해상도 타블렛에 맞추어 급발전하는 저전력 메모리 ● PC 메모리에 결국 따라 잡을 스마트 폰 및 타블렛의 메모리 모바일 메모리는 내년 (2013 년)는 대역 "LPDDR3"가 2015 년에는 대역 "LPDDR4"과 "Wide I/O2"가 등장하고, Wide I/O2의 배 대역 버전도 등장 할 전망이다. 그 결과 스마트 폰과 태블릿의 메모리 대역은 내년에는 12.8GB/sec ~ 25.6GB/sec에 도달, 2015 ~ 16 년에는 25.6GB/sec ~ 51.2GB/sec에 도달하기 위하여려고하고있다. 하이엔드 태블릿에서는 메모리 대역은 곧 데스크탑 메인 스트림 PC를 따라 잡고 추월 해 버린다. 전력면에서는 LPDDR4 이후 25.6GB/sec을 1W 이하의 전력으로 실현한다. 반도체의 표준화 단체 인 JEDEC는 10 월 29 일 미국 산타 클라라.. 2012. 11. 16.

삼성전자 모바일 LPDDR3 2GB 양산 삼성전자가 업계 최초로 30나노급(34nm) 2GB(기가바이트) LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3) 모바일 D램의 본격 양산에 들어갔다. 삼성전자는 대만 타이베이에서 열린 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼 2012’에서 지난 8월부터 차세대 2GB LPDDR3 모바일 D램을 양산했다고 발표했다. 이는 작년 10월 업계 최초로 2GB LPDDR2 모바일 D램을 양산한 이후 10개월 만의 일이다. 이번 2GB LPDDR3 제품은 핀(pin)당 동작 속도가 기존의 LPDDR2 대비 60% 빠른 1,600Mbps로, 1초에 최대 12.8GB까지 데이터를 처리할 수 있다. ※ 데이터 전송 통로인 핀(1.6Gbps)이 64개로 구성되어 있어 모든 핀이 구동하면 최대 12.8GB까지 처리가 가.. 2012. 9. 18.

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