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하이닉스13

내년에 등장하는 차세대 메모리 HBM2 GPU 메모리는 내년 (2016 년)의 HBM2에서 1TB / sec로 GPU의 메모리 대역이 급속도로 오르고있다. 작년 (2014년)의 하이엔드 GPU는 300GB/sec의 대역이었던 것이 올해 (2015년)는 "Radeon R9 FURY (Fiji)"에서 메모리 대역폭은 512GB/sec에 올라 내년 (2016 년)에는 AMD와 NVIDIA의 모두 1TB/sec의 메모리 대역에 돌입 할 전망이다. 2017년 이후에도 메모리 대역의 확장이 예상되고 있으며, GPU 메모리 대역은 급증한다. ▲HBM1과 HBM2의 차이 메모리 대역폭이 확장되는 가장 큰 이유는 물론 하이엔드 GPU의 메모리가 "HBM (High Bandwidth Memory) '로 전환하기 때문이다. 무엇보다, 300GB/sec 대의 메모.. 2015. 9. 4.
SK하이닉스, 3D 적층D램 AMD와 엔비디아에 공급 SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 제품을 개발하는데 성공했다고 2013년 12월 26일 밝혔다. 이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품으로 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 특히, 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다. SK하이닉스는 이.. 2014. 4. 5.
SK하이닉스 스마트폰 3GB램 개발 ▲뒤에 폰은 LG전자의 G2 SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)는 차세대 고사양 모바일 기기에 채용될 수 있는 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 제품을 개발했다고 30일(水) 밝혔다. 이 제품은 20나노급 기술이 적용됐으며, 저전력과 고용량의 특성을 갖춘 최적의 모바일 메모리 솔루션이다. 이 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있는데, 이 경우 자사의 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모도 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 된다. 또한 초저전압인 1.2V의 동작전압을 갖춰 모바일 기기가 요구하는 저전력의 특성을 만족시킨다. 이.. 2013. 10. 30.
반도체산업 혁신은 가능할까? ▲450mm 웨이퍼 기술발전속도 저하…무너지는 무어의 법칙 반도체 소자 업체들은 어떻게 이익을 남길까. ‘매년 떨어지는 시장 가격보다 더 빨리 원가를 낮추는 것’이 해답이다. 반도체 산업의 발전 과정을 되짚어보면 항상 이러한 대전제가 밑바탕에 깔려 있었다. 반도체의 주 원료는 직경이 200mm 혹은 300mm인 실리콘 웨이퍼 원판이다. 이 원판 위에 회로를 그린 다음 하나하나 잘라내서 용도에 맞게 패키징되어 나온 것이 우리가 흔히 볼 수 있는 반도체다. 이러한 반도체의 원가를 낮추는 방법은, 한 장의 웨이퍼에서 뽑아낼 수 있는 칩 수를 늘리는 것이다. 칩 수를 늘리려면 회로 패턴을 보다 미세하게 그려넣을 수 있어야 한다. 즉, 고집적을 통해 하나하나의 칩 크기를 줄여야 한다는 것이다. 반도체를 만드는 생.. 2013. 6. 27.
하이닉스 25nm LPDDR3 1GB 개발완료 LPDDR램은 주로 스마트폰이나 태블릿에 탑재되는 메모리로 풀HD(1920 x 1080)를 넘어서는 초고해상도제품들의 출현(2560 x 1600)으로 메모리대역폭의 한계가 도달하고 있다. 이러한 상황에서 고속으로 동작하는 2133Mbps LPDDR3램의 등장은 그래픽메모리 대역폭을 해결해주는 결정적 핵심부품이다. 삼성전자가 지난 4월 25nm LPDDR3 512MB 2133Mbps 양산을 실시한데 이어서 하이닉스도 25nm LPDDR3 1GB 2133Mbps 제품개발에 성공했다. 올해말부터 양산이 실시되는 하이닉스의 LPDDR3 1GB램은 삼성전자와 차별화되는 대용량메모리로 내년부터 4단 적층 패키지기술을 이용한 4GB램이 달린 갤럭시S5나 옵티머스G3 등의 스마트폰이나 태블릿을 볼 수 있다. 현시점에서.. 2013. 6. 11.
SK하이닉스가 전망하는 반도체 메모리의 미래 플래쉬메모리와 그 응용에 관한 세계 최대의 행사가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개최되었다. Flash Memory Summit는, 강연회와 전시회로 구성되어 있다. 메인 이벤트는 강연회에서, 테마별의 강연 세션과 전체 강연인 키노트 세션 및 프리젠테이션 있다. 테마별의 세션은 5개 전후의 강연이 동시 진행하고 있어, 이것이 3일간 계속 된다. 꽤 대규모 강연회이다 첫날의 키노트 세션에서는, NAND 플래쉬 메모리 및 DRAM의 대기업 메이커이며, 각종의 차세대 불휘발성 메모리의 개발에 임하고 있는 SK하이닉스가 반도체 메모리의 장래를 전망했다. ●DRAM와 NAND 플래시가 미세화의 한계에 강연자는 연구 개발 담당 부사장을 맡은 박성욱씨는, 강연 타이틀은 「Prospect for New Memory .. 2012. 8. 28.
하이닉스, 26나노 MLC SSD 출시 SK하이닉스는 소비자용 SSD(Solid State Drive) 제품 ‘SH910’을 출시했다고 25일(月) 밝혔다. SSD는 초고속과 저전력의 특성을 두루 갖춰 데스크톱, 노트북 또는 고성능 서버 등의 저장장치인 HDD(Hard Disk Drive)를 대체할 수 있다. SK하이닉스가 일반 소비자들에게 처음 소개하는 이 제품은 20나노급 낸드플래시를 기반으로 한 2.5인치 크기로 제작됐다. 128GB(기가바이트)와 256GB 두 가지 용량으로 공급되며, SSD에 적용되는 최신 방식인 SATA III 6Gb/s(Gigabits per second) 인터페이스를 적용하고 온파이(ONFI) 방식의 동기식 낸드플래시(Synchronous NAND)를 장착해 속도와 안정성을 향상시켰다. 이 제품의 연속 ‘읽기’ .. 2012. 6. 25.
하이닉스반도체, 20나노급 64Gb 낸드플래시 양산시작 하이닉스반도체는 8일(日), 지난 2월에 개발한 20나노급 64기가비트(Gb) 낸드플래시 제품 양산을 시작한다고 밝혔다. 하이닉스는 이 제품의 성공적인 양산을 통해 업계 선두수준의 기술력을 확보했으며, 기존 30나노급 32기가비트 제품 대비 생산성이 약 60% 가량 향상되어 업계 최고수준의 원가 경쟁력도 확보했다고 설명했다. 낸드플래시 제품의 고용량화를 위해서는 한 개의 패키지안에 여러 개의 단일 칩을 적층하는데, 단일칩에서 64기가비트를 구현함으로써 동일한 크기의 패키지에서 기존 대비 2배의 용량 구현이 가능해졌다. 이 제품 16개를 적층할 경우 128기가바이트(GB) 용량을 하나의 패키지에서 구현 가능하게 되고, 이를 통해 모바일 제품이 요구하는 초소형·고용량 제품 공급 및 고용량 스토리지 부문의 대.. 2010. 8. 9.
하이닉스반도체, 20나노급 64기가비트 낸드플래쉬 칩 개발 성공 하이닉스반도체는 20나노급 64기가비트(Gb) 제품 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. 하이닉스는 지난 2009년 8월, 30나노급 기술을 적용한 32 기가비트 낸드플래시 제품에 이어, 불과 6개월 만에 20나노급 64기가비트 제품 개발에 성공함으로써 낸드플래시 분야에서도 업계 최고 수준의 기술경쟁력을 확보하게 됐다. 하이닉스 연구소장인 박성욱 부사장은 “통신기술에 사용되는 ‘노이즈 제거’ 기술을 개발해 조만간 적용하면, 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 20나노급 이하까지 확장해 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다”고 설명했다. 또한 “이 제품은 새로운 공정의 채용을 최소화해 30나노급 제품 대비 2배 가까운 생산성 향상으로 업계 최고 수준의 원가 경쟁력도 확보할 수 있게 됐다”고 덧붙였다. 20나노급 6.. 2010. 2. 9.
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