반응형 IT/Hardware474 한국어도비시스템즈, Adobe CS5 영문판 출시 한국어도비시스템즈(www.adobe.com/kr, 대표이사 지준영)는 오늘 모든 크리에이티브 작업에 획기적인 혁신을 가져다 줄 디자이너와 개발자들을 위한 업계 최고의 소프트웨어, ‘어도비 크리에이티브 스위트 5(Adobe Creative Suite 5, 이하 CS5)’를 발표했다. 어도비 CS5제품군은 디자이너와 개발자들을 위해 양방향 커뮤니케이션 기능과 다양한 미디어와 디바이스를 위한 창의적인 콘텐츠와 이를 토대로 하는 마케팅 캠페인 효과를 극대화 시키는데 초점을 맞추어 개발되었다. 우선, CS5버전은 대표적인 크리에이티브 툴들의 기능이 대폭 향상되어 디자이너와 개발자들의 워크플로우를 눈에 띄게 향상시켜 줄 것이다. 또한 CS5 버전에 최초로, 웹사이트나 기타 소스에서 생성된 정보를 수집, 저장, 분석.. 2010. 5. 2. 인텔 High-k/Metal Gate 기술발표 인텔 2003년 High-k/Metal Gate 기술발표 2007년 11월 출시된 45nm제품부터 적용되었음 - Intel은 미래의 트랜지스터 물질에 대한 확연한 진보를 이루어냈다. - 이 새로운 트랜지스터의 2가지 핵심 부문은 : 게이트 유전 물질이 "high-k" 물질로 이루어져 있다. (k값에 관한 것은 제가 서너번 언급 하였었습니다.) 게이트 전극은 메탈로 구성 - Intel은 이 혁신적인 것을 집적하고 종래의 성능을 갈아치우는 트랜지스터를 만드는 것에 성공하였으며, 이와 함께 극적으로 전류 누출을 줄이게 되었다. - Intel은 high-k-metal gate가 45nm 제조 공정에 도입될 것이라 믿고 있는데, 이것의 양산은 2007년에 이루어질 것이다. 이게 왜 중요한가? - 트랜지스터들이 전.. 2010. 4. 27. TSMC, 22nm 건너뛰고 20nm로 직행 TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)는 2010 Technology Symposium에서 현재의 40nm를 이어 28nm 공정으로 이동한 후 22nm는 건너뛰고 바로 20nm 공정을 적용할 계획을 발표했다. TSMC의 경우 40nm 이후 32nm 공정을 건너뛰고 28nm High-K Metal Gate 공정을 적용할 것으로 알려지고 있었는데 이번 20nm 공정 적용 계획을 바탕으로 공정의 미세화에 더욱 박차를 가할 것으로 예상된다. TSMC는 20nm 공정으로의 이전은 22nm 공정과 비교하여 게이트 밀도와 칩의 성능 향상, 그리고 비용 측면에서 유리할 것이라고 언급했으며, 보다 진보된 기술력을 제공할 수 있을 것이라고 전했다. TSMC의 20nm 공정.. 2010. 4. 27. AMD/ATI 개발자 트위터 리스트 AMD Twitter Accounts: Twitter Name: @CatalystMaker Real Name: Terry Makedon Rage3D Member: CATALYST maker Job Description: Manager of Software Product Management Twitter Name: @shaneparfitt Real Name: Shane Parfitt Job Description: Software Product Manger for Eyefinity and Video Twitter Name: @Wavey_Dave Real Name: Dave Baumann Rage3D Member: Dave Baumann Job Description: Product manager of 58xx.. 2010. 4. 27. TSMC 40nm/28nm/22nm기술에 대해 말하다. TSMC R&D 총괄 수석부사장 Shang-Yi Chiang씨는 일본에서 열린 TSMC Japan포럼에서 40nm 물량과 수율문제 High-K와 28nm 22nm 기술에대해 이야기했습니다. 1. 40nm 물량 부족문제 40nm기술은 이전 세대에 비해 높은 수요가 맞물렸는데 현재 Fab 12에서 분기별로 12인치 웨이퍼가 8,000개 생산이 가능하고 Fab 14에서도 생산에 들어갈 것이고 올 해말쯤에는 두 배가되는 160,000개를 생산할 예정입니다. 2. 40nm 수율 문제 TSMC 40nm 수율문제는 작년 하반기에 해결을 했는데 지금은 재빠르게 수요를 충족시키고 있습니다. 45nm/40nm의 이행은 지금까지 제일 난이도가 높았으며 처음으로 193nm 침윤식 노광기술을 사용했기떄문에 결함율이 상당히 높았.. 2010. 4. 27. 글로벌파운드리(Globalfoundries)는 20nm/22nm 기술개발을 계획 ATIC(Advanced Technology Investment Company)와 AMD에 의해 운영되는 Globalfoundries 반도체 계약 제조사는 22nm 공정과 함께 20nm 공정 기술도 개발하게 될 것이라고 말했다. 게다가, 회사는 최근의 추세에도 불구하고 소위 Half-Node라 불리는 공정 기술도 계속 존재할 것이라고 설명했다. 최근에 대만의 TSMC는 22nm 공정 기술을 제끼고, 그 대신에 20nm로 바로 전환할 것이라고 발표했다. 그리고 TSMC와 Globalfoundries 모두는 32nm bulk 공정 기술을 생략하기로 결정했다. 이런 결정의 이유로, Globalfoundries는 특정 사업 때문에 그런 거고, TSMC는 너무 문제가 많은 40nm의 똑같은 재료(요소)들과 설계를.. 2010. 4. 27. IBM과 글로벌파운드리는 22nm 기술에 대해 말하다. AMD와 ATIC(Advanced Technology Investment Company)의 합작 투자 기업인 Globalfoundries는, 차세대 모바일 장치들이 더욱 높은 연산력을 갖고, 광대하게 개선된 배터리 수명을 갖도록 한 단계 더 발전하게 해주는, high-k metal gate (HKMG) 트랜지스터들을 발전시키는 데에 있어서, 존재하는 주요 장매물들 중에 하나가 극복될 수 있다고, 화요일에 혁신적인 기술을 자세히 설명했다. 일본, 도쿄에 열린 2009 Symposium on VLSI Technology 에서, Globalfoundries는 이 기술이, 22nm node을 위해 필요한 수준으로 잘 도약하기 위해서, high-k metal gate (HKMG)에서의 equivalent oxid.. 2010. 4. 27. 엘피다(ELPIDA) 40nm 4Gb DDR3 SDRAM 개발완료 엘피다 메모리 주식 회사는 이번에 세계 최대 용량이되는 4Gb DDR3 SDRAM의 개발을 완료했습니다. 우리는 최첨단 40nm 프로세스 설계, 40nm 프로세스 2G 비트 DDR3 SDRAM 2 개 (4Gb 상당)에 비해 전력 소비를 30 % 절감, 서버, 데이터 센터 등 고밀도 메모리 시스템의 저소비 전력화에 기여 환경 친화적인 DRAM입니다. DDR3 표준 1.5V뿐 아니라 낮은 전압 1.35V을 지원하기위한 시스템을 더욱 저전력화에 기여합니다. 엘피다 4Gb DDR3 SDRAM은 서버용 세계 최대 용량이되는 32GB RDIMM (4Gb DDR3 SDRAM DDP※를 36 개 탑재), 고속・대용량을 실현하는 새로운 표준 LR DIMM (Load Reduced DIMM)을 개요 워크 스테이션의 8GB.. 2010. 4. 22. 삼성전자, 세계 최초 20나노급 낸드 양산 삼성전자는 19일 세계 최초로 20나노급 공정으로 32Gb MLC(Multi-Level Cell) 낸드플래시를 이 달부터 양산하기 시작했다고 밝혔다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드플래시의 전용 컨트롤러도 함께 개발해 최적의 성능을 구현했다. 20나노급 MLC 낸드플래시는 30나노급 MLC 낸드플래시보다 생산성이 약 50% 높고, 전용 컨트롤러 개발로 성능 향상은 물론 30나노급 낸드 제품과 동등 수준의 신뢰성도 확보했다. 삼성전자 20나노급 MLC 낸드플래시는 ‘SD 카드’ 제품으로 먼저 출시됐다. 삼성전자는 20나노급 MLC 낸드 제품의 생산 비중을 지속 늘려 4GB(기가바이트)부터 64GB 용량의 제품까지 라인업을 운영할 예정이다. 또, moviNAND™까지 20나노급 MLC 낸드플래시를 순차적으.. 2010. 4. 19. 이전 1 ··· 29 30 31 32 33 34 35 ··· 53 다음 반응형
